[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210445671.X
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN103811314B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡華勇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供形成有淺溝槽隔離的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的材料為硅；

步驟S102：在所述淺溝槽隔離的上方形成硅蓋帽層；

步驟S103：在所述半導(dǎo)體襯底上形成離子注入遮蔽層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102中形成的所述硅蓋帽層的厚度為20～100nm。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102中形成的所述硅蓋帽層的材料為單晶硅或多晶硅，并且所述硅蓋帽層的高k值為2.5～4，n值為0.8～2。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S103包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一光刻膠薄膜；

利用掩膜板對所述光刻膠薄膜進行曝光、顯影，形成第一圖形化的光刻膠，所述第一圖形化的光刻膠即為所述離子注入遮蔽層。

5.如權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述半導(dǎo)體襯底上形成一層硅薄膜；

步驟S1022：在所述硅薄膜上形成一層底部抗反射層，并在所述底部抗反射層上方形成第二圖形化的光刻膠；

步驟S1023：以所述第二圖形化的光刻膠為掩膜對所述半導(dǎo)體襯底進行刻蝕，去除所述底部抗反射層和所述硅薄膜未被所述第二圖形化的光刻膠所覆蓋的部分，以形成所述硅蓋帽層；

步驟S1024：剝離掉所述第二圖形化的光刻膠以及位于其下方的所述底部抗反射層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1022包括：

在所述硅薄膜上形成一層底部抗反射層，在所述底部抗反射層上形成第二光刻膠薄膜，對所述第二光刻膠薄膜進行曝光、顯影處理以形成所述第二圖形化的光刻膠。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中所提供的半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)的上方形成有氧化物層。

8.如權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中所提供的所述半導(dǎo)體襯底還包括位于其有源區(qū)上方的氮化硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述半導(dǎo)體襯底上形成一層硅薄膜；

步驟S1022：對所述硅薄膜進行CMP，去除所述硅薄膜位于所述淺溝槽隔離上方以外的部分，以形成所述硅蓋帽層。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102和S103之間還包括去除所述位于有源區(qū)上方的氮化硅層的步驟。