[發明專利]一種深硅通孔刻蝕方法

有效

• 申請號: 201210445649.5
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN103811408A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 黃秋平;許頌臨
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3065
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種深孔硅刻蝕方法用于刻蝕硅基片，所述硅基片上包括一圖形化的掩膜層，所述刻蝕方法包括

第一刻蝕階段，以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕硅基片形成第一深度（H1）的開口，所述開口兩側側壁的間距從頂部向下逐漸減小，且在第一深度處具有第一側壁間距（D21），

在第一刻蝕階段結束后進入主刻蝕階段，所述主刻蝕階段包括交替進行的刻蝕和沉積步驟，在刻蝕步驟中通入刻蝕氣體對硅基片進行刻蝕，在沉積步驟中通入氟碳化合物氣體對刻蝕形成的開口側壁進行保護,所述主刻蝕階段，所述開口從所述第一深度刻蝕到第二深度，同時使所述第一深度處的第一側壁間距增大到第二間距（D22）。

2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述圖形化的掩膜層在第一刻蝕階段具有第一關鍵尺寸，在完成主刻蝕階段后所述掩膜層具有第二關鍵尺寸，所述第二關鍵尺寸大于所述第一關鍵尺寸。

3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕階段的刻蝕氣體包括SF6、C4F8、O2。

4.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述的主刻蝕階段刻蝕的第二深度大于30um。

5.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕階段中的刻蝕步驟通入的刻蝕氣體選自SF6和NF3之一。

6.如權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕階段形成的第一深度開口上端側壁間的間距（D20）大于所述第一關鍵尺寸（D1）1um以上。

7.如權利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕階段形成的第一深度開口上端側壁間的間距大于所述第一關鍵尺寸，且差值大于1um小于6um。

8.如權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于所述第一關鍵尺寸選自4-6um，第二關鍵尺寸選自7-8um。

9.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一深度開口的下段側壁間距小于1.1倍的開口上端側壁間的間距。

10.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一深度大于2um。