[發明專利]一種測定氮化硅材料中鐵含量的方法無效
| 申請號: | 201210445440.9 | 申請日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN103808791A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 墨淑敏;張志剛 | 申請(專利權)人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | G01N27/64 | 分類號: | G01N27/64;G01N1/44 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉徐紅 |
| 地址: | 100088 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 測定 氮化 材料 含量 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種測定氮化硅材料中鐵含量的方法,尤其涉及使用微波消解處理樣品、電感耦合等離子體質譜儀測定氮化硅中鐵百分含量的方法,屬于材料分析、測定技術領域。
背景技術
氮化硅是一種超硬物質,難溶,本身具有潤滑性,并且耐磨損。氮化硅中的雜質元素對其性能有很大影響。針對氮化硅的特點,可以采用直流電弧原子發射光譜法進行分析,但是該方法存在沒有標樣、檢出限太高不能滿足測定的需要等問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種測定氮化硅材料中鐵含量的方法,主要針對其中的鐵含量進行分析,測定范圍0.0001%~0.010%。采用微波消解進行前處理,并用電感耦合等離子體質譜儀測定氮化硅中鐵雜質含量的方法,通過方法比對試驗,證明檢測結果真實可靠。
為實現上述目的,本發明采取以下技術方案:
一種測定氮化硅材料中鐵含量的方法,用微波消解進行樣品前處理,并用電感耦合等離子體質譜儀測定氮化硅中鐵雜質含量的方法,該方法包括以下操作步驟:
(1)稱取氮化硅樣品,加入濃HNO3和HF,采用微波消解處理氮化硅樣品,得到樣品溶液,加入Sc內標溶液,稀釋得到樣品的待測溶液;隨樣做空白試驗;
(2)用單晶硅打底,并且在每個標準溶液中加入等量的Sc內標溶液,配制鐵的系列標準溶液;
(3)選定電感耦合等離子體質譜儀的工作條件,選擇同位素56,在H2模式下測定,然后按照濃度由低到高對系列標準溶液進行分析,得到鐵工作曲線;然后對空白溶液及氮化硅的待測溶液進行分析,得到空白及氮化硅待測溶液中Fe元素與內標Sc元素的信號強度比值Y,帶入工作曲線求得空白溶液中Fe濃度值(ρ0)及氮化硅樣品待測溶液中Fe濃度值(ρ1);
(4)根據步驟(3)得到的樣品待測溶液中鐵元素的濃度,通過計算得到待測樣品中鐵的質量百分數。
步驟(1)中,稱取0.10g氮化硅樣品,向氮化硅樣品中加入2mL濃HNO3和1mL濃HF;
步驟(1)中,所述的微波消解處理中,采用的溫度控制程序如下:
第1步,用10min升溫至120℃,保持5min~10min;
第2步,再用5min升溫至180℃,保持10min~15min;
第3步,冷卻到室溫。
步驟(1)中,消解得到的氮化硅樣品溶液中,加入濃度為1μg/mL的Sc內標溶液2mL;稀釋得到的樣品待測溶液中,氮化硅樣品中硅的濃度為0.60mg/ml。
步驟(2)中,鐵的系列標準溶液中,Fe的濃度依次為0、20、40、60、80、100ng/mL,打底的單晶硅基體濃度為0.60mg/ml,并且在每個標準溶液中加入濃度為1μg/mL的Sc內標溶液2mL。鐵的系列標準溶液中的硅與樣品待測溶液中硅的濃度一致,可以有效消除基體干擾。
步驟(3)中,鐵工作曲線為Y=aX+b,其線性相關系數r大于0.9990,其中,X表示Fe元素的濃度,Y為Fe元素與內標Sc元素的信號強度比值。
步驟(4)中,待測樣品中鐵的質量百分數采用下述計算公式:
公式中,ρ0表示空白溶液中Fe的濃度,單位ng/mL;
ρ1表示待測溶液中Fe的濃度,單位ng/mL;
V表示溶液體積,單位mL;
m表示氮化硅樣品質量,單位g。
本發明中采用電感耦合等離子體質譜儀測定氮化硅材料中Fe含量的過程為:
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