[發明專利]粘晶方法及其裝置無效
| 申請號: | 201210443956.X | 申請日: | 2012-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN103730377A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 呂文镕;吳文獻;蘇濬賢 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方法 及其 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種粘晶方法及其裝置,尤其是一種預熱晶粒與粘合晶粒的粘晶方法與裝置。
背景技術
光電元件,廣為應用于目前的日常生活中,舉例而言,光電元件中以發光二極管(Light-Emitting?Diode,LED)最具有代表性,因發光二極管已被視為下一代照明光源,以取代傳統的日光燈與鹵素燈。
現有的光電元件的制作工藝,是將一晶粒置放于基板,以使二者相粘合,然而在置放過程中,是使用一取放裝置,將晶粒由晶粒供應單元取出,放置于晶粒暫放平臺,再由另一取放裝置,從晶粒暫放平臺取出晶粒,貼合于基板上,晶粒粘合基板前,晶粒需要歷經多次取放,并且前述的制作工藝是依靠單一固晶機構與單一制作平臺,所以現有的光電元件需要較長的制作時間,并且具有較為繁復的生產流程。
發明內容
在本發明的一實施例中,本發明的目的在于提供一種粘晶方法,其步驟包含有:
將一基板加熱至一預定溫度;
吸取至少一晶粒;
將該至少一晶粒固晶于該基板;
冷卻已固晶的基板;以及
將該已固晶的基板移至一上下料位置,加熱另一基板至該預定溫度,并重復上述的步驟。
在本發明的另一實施例中,本發明的目的在于提供一種粘晶裝置,其包含有:
一基臺;
一晶粒供應單元,其設于該基臺的一端;
一基板加熱及冷卻單元,其設于該基臺的另一端;以及
一固晶單元,其設于該基臺的頂端,并且能夠于該晶粒供應單元與該基板加熱及冷卻單元之間移動。
本發明僅需將晶粒從晶圓盤取出直接固晶于基板上;另一方面,本發明有多組晶粒取放固晶機構,可一次從晶圓盤取出多顆晶粒,縮短取放時間;最后,本發明擁有雙固晶平臺,在其中一平臺進行固晶制作時,另一平臺可進行冷卻與上下料基板,可有效降低制程時間。
附圖說明
圖1是本發明的一種粘晶裝置的立體示意圖。
圖2是一晶粒供應單元的立體示意圖。
圖3是一控溫模塊的立體示意圖。
圖4是一取放固晶模塊的立體示意圖。
圖5是一晶粒供應單元與一取放固晶模塊的局部動作示意圖。
圖6是晶粒供應單元、取放固晶模塊與一基板加熱及冷卻單元的動作示意圖。
圖7是取放固晶模塊與基板加熱及冷卻單元的局部動作示意圖。
圖8是本發明的一種粘晶方法的流程示意圖。
【主要元件符號說明】
1????基臺
2????晶粒供應單元
20???晶圓工作臺
200??晶圓盤載臺
201??旋轉模塊
202??工作臺X軸向移動單元
203??工作臺Y軸向移動單元
21???晶粒頂出模塊
3????基板加熱及冷卻單元
30????????Y軸向移動模塊
31????????控溫模塊
311???????冷卻液流入管
312???????冷卻液流出管
313???????恒溫液入管
314???????溫度傳感器
315???????隔熱板
316???????支撐座
317???????恒溫板
318???????附加電路板
319???????恒溫液出管
4?????????固晶單元
40????????固晶單元Y軸向移動模塊
41????????取放固晶模塊
410???????第一視覺模塊
411???????可調整加壓模塊
412???????真空吸放轉接器
414???????晶粒吸嘴
415???????角度對位模塊
42????????取放固晶模塊Z軸向對位模塊
43????????取放固晶模塊X軸向移動模塊
5?????????第二視覺模塊
S1~S8????步驟
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白,以下結合具體實施例,并參照附圖,對本發明進一步詳細說明。
參考圖1所示,本發明提供一種粘晶裝置,其具有一基臺1、一晶粒供應單元2、一基板加熱及冷卻單元3、一固晶單元4、一第一視覺模塊410與一第二視覺模塊5。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





