[發明專利]單晶硅片倒角加工方法

無效

• 申請號: 201210442491.6
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN103056742A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 沈輝輝;黃春峰;謝江華
• 申請（專利權）人: 上海合晶硅材料有限公司
• 主分類號: B24B9/06
• 分類號: B24B9/06
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 李強

技術領域

本發明涉及一種單晶硅片倒角加工方法。?

背景技術

為了增加單晶硅片的應力，需要對硅片邊緣進行加工，使硅片邊緣形成倒角。利用砂輪打磨可形成倒角。其中一種加工方法是分兩次打磨加工，打磨去除徑向長度為0.7mm。采用兩次打磨的方法，因打磨而劃傷硅片導致的硅片不良率達到了0.15%。采用兩次打磨的加工方法的另一個缺點是加工的硅片在外延后會產生滑移線，產生滑移線的外延片比例最高達到7%。滑移線的長度約為3-5mm。?

發明內容

本發明的目的之一是為了克服現有技術中的不足，提供一種可降低硅片不良率的單晶硅片倒角加工方法。?

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現：?

單晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除設定徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角；打磨次數為三次以上，三次以上打磨去除設定徑向長度的硅片。?

優選地是，分四次打磨去除設定徑向長度的硅片。?

優選地是，前兩次每次打磨去除硅片徑向長度大于等于后兩次每次去除硅片徑向長度。?

優選地是，總去除硅片徑向長度為0.7mm，第一次打磨去除徑向長度為0.45-0.60mm；第二次打磨去除徑向長度為0.01-0.1mm；第三次打磨去除徑向長度為0.01-0.05mm；剩余需去除徑向長度由第四次打磨去除。?

本發明中的去除徑向長度，是指硅片最外側邊緣處沿徑向長度方向的去除徑向長度，即沿徑向長度方向去除的最大值。?

本發明中的單晶硅片倒角加工方法，可以將硅片不良率降低一半，因劃傷導致的硅片不良率從0.15%降低至0.087%。而且使用本發明中的方法加工的硅片用于生產外延片，外延片未產生滑移線，提高了外延片的合格率。?

具體實施方式

下面對本發明進行詳細的描述：?

實施例1?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.5mm；第二次打磨去除徑向長度為0.1mm；第三次打磨去除徑向長度為0.05mm；第四次打磨去除0.05mm。?

實施例2?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.5mm；第二次打磨去除徑向長度為0.08mm；第三次打磨去除徑向長度為0.05mm；第四次打磨去除0.07mm。?

實施例3?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.6mm；第二次打磨去除徑向長度為0.05mm；第三次打磨去除徑向長度為0.02mm；第四次打磨去除0.03mm。?

實施例4?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.55mm；第二次打磨去除徑向長度為0.1mm；第三次打磨去除徑向長度為0.03mm；第四次打磨去除0.02mm。?

實施例5?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片?邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.45mm；第二次打磨去除徑向長度為0.15mm；第三次打磨去除徑向長度為0.05mm；第四次打磨去除0.05mm。?

實施例6?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.55mm；第二次打磨去除徑向長度為0.1mm；第三次打磨去除徑向長度為0.01mm；第四次打磨去除徑向長度為0.04mm。?

實施例7?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.5mm；第二次打磨去除徑向長度為0.1mm；第三次打磨去除徑向長度為0.1mm。?

實施例8?

單晶硅片倒角加工方法，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除0.7mm徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角。打磨次數為四次，第一次打磨去除徑向長度為0.6mm；第二次打磨去除徑向長度為0.05mm；第三次打磨去除徑向長度為0.05mm。?