[發(fā)明專利]去除磷硅玻璃的設(shè)備和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210442267.7
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN102938433A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬紅娜;張紅妹;馬桂艷;胡海波
• 申請（專利權(quán)）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B08B3/08
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種密封設(shè)備，用于去除磷硅玻璃PSG，其特征在于，包括：

存儲氫氟酸溶液的第一密封容器和放置硅片的第二密封容器，其中，第一密封容器包括第一進(jìn)氣口和第一出氣口，第二密封容器包括第二進(jìn)氣口和第二出氣口，所述第一進(jìn)氣口連接N₂輸入管路，第一出氣口連接第二進(jìn)氣口，第二出氣口連接廢氣排放管路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二密封容器為增加了一個進(jìn)氣口的擴(kuò)散爐。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二密封容器為與擴(kuò)散爐的硅片輸出口相連的密封容器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，第一密封容器的材料為聚丙烯。

5.一種去除磷硅玻璃PSG的方法，應(yīng)用權(quán)1所述的設(shè)備，其特征在于，該方法包括：

將擴(kuò)散完成后的硅片放置在第二密封容器中；

將N₂通入到氫氟酸溶液中，通過N₂將含水的氟化氫氣體通入第二密封容器中，其中，所述氫氟酸溶液存儲在第一密封容器中；

第二密封容器中，含水的氟化氫氣體與硅片表面的PSG反應(yīng)，去除硅片表面的PSG；

從第二密封容器中排出反應(yīng)生成物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的氫氟酸溶液的濃度為30%-40%。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述的N₂的流量為200sccm-1000sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的含水的氟化氫與硅片表面的PSG反應(yīng)的時間為10s-30s。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述的含水的氟化氫與硅片表面的PSG反應(yīng)的溫度為650°C-800°C。