[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210440147.3
• 申請日: 2012-11-06
• 公開（公告）號: CN103811558B
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 田宗民;閻長江;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/28;G09F9/33;G09F9/35
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王黎延;張振偉

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、有源層以及位于柵極和有源層之間的柵極絕緣層，其特征在于，所述柵極絕緣層和有源層之間還設置有晶體材料薄膜層；

所述晶體材料薄膜層為選自石墨烯和單壁碳納米管中的一種或多種的透明導電材料；

所述柵極絕緣層由樹脂材料形成。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體材料薄膜層的圖形大于等于有源層的圖形。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：設置于基板上的柵極、設置于柵極上的柵極絕緣層、設置于有源層上的阻擋層、設置于有源層和阻擋層上的源漏極、設置于阻擋層和源漏極上的鈍化層；

所述晶體材料薄膜層位于所述柵極絕緣層之上，所述有源層位于所述晶體材料薄膜層之上。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：基板、設置于基板上的源漏極、設置于基板和源漏極上的有源層、設置于有源層上的柵極絕緣層，以及設置于柵極絕緣層之上的柵極；

所述晶體材料薄膜層位于所述柵極絕緣層之下，所述有源層位于所述晶體材料薄膜層之下。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體材料薄膜層的厚度為400～500埃米。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6所述的陣列基板。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

形成包括柵極的圖形、包括有源層的圖形，以及位于柵極層和有源層之間的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層和有源層之間形成有晶體材料薄膜層；

所述晶體材料薄膜層為選自石墨烯和單壁碳納米管中的一種或多種的透明導電材料；

所述柵極絕緣層由樹脂材料形成。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在柵極絕緣層和有源層之間形成有晶體材料薄膜層，其制作方法具體包括：

在柵極絕緣層之上采用透明導電材料形成晶體材料薄膜層。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在柵極絕緣層和有源層之間形成有晶體材料薄膜層，其制作方法具體包括：

在有源層之上采用透明導電材料形成晶體材料薄膜層。