[發明專利]SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法有效
| 申請號： | 201210438925.5 | 申請日： | 2012-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN103803482A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 郝智彪;鈕浪;胡健楠;汪萊;羅毅 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | soi 襯底 制作 半導體 結構 器件 方法 | ||
1.一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，該方法包括步驟：
S1在SOI襯底的表面硅層上制作微納結構器件圖形；
S2利用選擇性腐蝕液去除所述表面硅層微納結構器件圖形下方的二氧化硅，形成空氣橋圖形結構；
S3在所述形成空氣橋圖形結構的SOI襯底上，利用外延生長法形成器件材料。
2.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述SOI襯底的橫向尺寸為1～20英寸，晶面包括（001）、（111）、（110）晶面，表面硅層厚度為1nm~10μm。
3.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述微納結構器件圖形的制作方法包括：電子束曝光、深紫外光刻、紫外光刻、納米壓印或全息曝光。
4.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述微納結構器件圖形最小結構的橫向尺寸為1nm~1000μm。
5.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述選擇性腐蝕液為氫氟酸、緩沖氫氟酸、硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸、檸檬酸、氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液中的至少一種。
6.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述外延生長法包括：金屬有機物氣相外延、分子束外延、化學氣相沉積、氫化物氣相外延或原子層沉積。
7.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述器件材料為GaN基、InP基、GaAs基、SiGe基、ZnO基或GaSb基的二元化合物半導體或/和多元化合物半導體。
8.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，器件材料形成后，利用選擇性化學腐蝕液去除器件材料以下的表面硅層。
9.權利要求1所述的一種SOI襯底上制作半導體微納結構器件的方法，其特征在于，所述器件材料的外延生長厚度為1nm~100μm。
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