[發明專利]半導體封裝結構

無效

• 申請號: 201210438441.0
• 申請日: 2012-11-06
• 公開（公告）號: CN103515333A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明涉及一種封裝結構技術，特別是涉及一種能降低翹曲(warpage)及避免脫層(delamination)的半導體封裝結構。

背景技術

如本領域技術的一般技術人員所知，半導體集成電路是利用薄膜沉積、離子注入、刻蝕及光刻等工藝步驟制作在半導體晶圓上。完成晶圓上的集成電路后，接著進行晶圓測試及切割，其中晶圓切割通常是以切割刀進行。晶圓被切割成單獨的芯片，再與封裝基板或晶圓載板封裝成封裝體。封裝過程中，通常僅以模塑高分子樹脂封蓋住封裝基板的上表面及固定在上表面的芯片。

然而，過去作法其缺點在于封裝體的內部脫層(delamination)問題。嚴重者可能導致較大的裂縫發生，容易使污染物侵入，危及芯片的可靠度。容易發生脫層問題的位置是在封裝基板與模塑樹脂之間的界面，可能是因為封裝基板與模塑樹脂之間的結合力不足所導致，或者因為熱膨脹系數不匹配所致，也有可能是因為切割過程中產生的應力。先前技術的另一問題是封裝體的翹曲現象，主要是熱應力及封裝結構的不平衡所導致。

發明內容

本發明的主要目的為提供一種改良的半導體封裝結構，以解決上述現有技術的不足與缺點。

本發明的一實施例提供一種半導體封裝結構，包含有一封裝基板，具有一第一表面、一相對于所述第一表面的第二表面，以及一介于所述第一表面與所述第二表面之間的側壁表面；一半導體器件，固定在所述第一表面上；以及一上蓋膜封材，至少封住所述半導體器件，其中所述上蓋膜封材包含一垂直延伸部，覆蓋住所述側壁表面，以及一水平延伸部，扣住所述封裝基板第二表面的一植球區的邊緣。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施方式并配合所附圖式作詳細說明如下。然而下文中的優選實施方式與圖式僅供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。

附圖說明

圖1為依據本發明一實施例所繪示的半導體封裝結構的橫斷面示意圖。

第2圖為依據本發明另一實施例所繪示的半導體封裝結構的橫斷面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

1a????半導體封裝結構????30a????垂直延伸部

1b????半導體封裝結構????30b????水平延伸部

10????封裝基板??????????32?????焊線

10a???第一表面??????????40?????錫球

10b???側壁表面??????????102????中央開口

10c???第二表面??????????112????金手指

20????半導體器件????????114????焊墊

20a???有源面????????????200????植球區

22????黏著層????????????202????接合墊

30????上蓋膜封材????????230????突出部

具體實施方式

下文中將參照附圖來說明本發明實施細節，該些附圖中的內容構成說明書一部份，并以可實行該實施例的特例描述方式繪示。下文實施例已揭露足夠的細節可使所屬技術領域的一般技術人員得以具以實施。當然，本發明中也可實行其它的實施例，或是在不悖離文中所述實施例的前提下作出任何結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文的細節描述將不欲被視為是一種限定，反之，其中所包含的實施例將由權利要求書來加以界定。

圖1為依據本發明一實施例所繪示的半導體封裝結構的橫斷面示意圖。如圖1所示，半導體封裝結構1a包含有一封裝基板10，具有一第一表面10a、一相對于第一表面10a的第二表面10c，以及一介于第一表面10a與第二表面10c之間的側壁表面10b。其中，側壁表面10b本質上垂直于第一表面10a與第二表面10c。封裝基板10可以是塑料基板，其具有一絕緣核心層，例如，玻璃纖維材料等，以及多層導線及介電層。前述的多層導線可以通過電鍍通孔彼此電性連結。另外，可以在第一表面10a與第二表面10c上形成防焊層(未示于圖中)，以保護最上層的導線。本項技藝的一般技術人員應能理解封裝基板10也可以是其它型式的基材，例如模塑化合物或環氧樹脂基材，而前述的防焊層也可省略。