[發明專利]一種接合焊盤結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210435335.7
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103794732B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 李玉軍;郭峰;趙本剛
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種接合焊盤結構，其特征在于，包含：

設置于基板上的多晶硅層，所述多晶硅層呈條狀平行排列；

位于所述多晶硅層上的第一金屬層和第二金屬層，并且所述第二金屬層位于所述第一金屬層之上；

位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的間隔層，所述間隔層包括多個凸出塊；

其中，所述第二金屬層表面具有與所述多個凸出塊對應的多個凸起。

2.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述第一金屬和所述第二金屬是同種金屬。

3.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述接合焊盤結構還包括位于所述多晶硅層和所述基板之間的緩沖層。

4.根據權利要求3所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述緩沖層由以下材料中的至少一種制成：氮化硅，二氧化硅。

5.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，還包括位于所述多晶硅層和所述第一金屬層之間的柵極絕緣層。

6.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為

7.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為

8.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述間隔層的厚度為

9.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述間隔層由氮化硅制成。

10.根據權利要求1所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述凸出塊為棱臺。

11.根據權利要求10所述的接合焊盤結構，其特征在于，所述棱臺的圓錐角大于等于45度且小于等于80度。

12.一種接合焊盤結構的制造方法，其依次包括以下步驟：

在基板上形成多晶硅層，對所述多晶硅層進行曝光、顯影、刻蝕，以便使所述多晶硅層形成平行排列的條狀；

在所述多晶硅層上形成第一金屬層；

通過光刻工藝在所述第一金屬層上形成間隔層，所述間隔層包括多個與所述多晶硅層的條狀寬度一致的凸出塊；

在所述間隔層和第一金屬層上形成第二金屬層，所述第二金屬層表面呈現與所述多個凸出塊對應的多個凸起。

13.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一金屬和所述第二金屬是同種金屬。

14.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，在形成所述多晶硅層之前，還包括在基板上形成緩沖層。

15.根據權利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層由以下材料中的至少一種制成：氮化硅，二氧化硅。

16.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，在形成所述多晶硅層之后，還包括在所述多晶硅層上形成柵極絕緣層。

17.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為

18.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為

19.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述間隔層的厚度為

20.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述間隔層由氮化硅制成。

21.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凸出塊為棱臺。

22.根據權利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述棱臺的圓錐角大于等于45度且小于等于80度。