[發(fā)明專利]射頻識(shí)別中的串聯(lián)穩(wěn)壓電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210434635.3
• 申請(qǐng)日: 2012-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103792979A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅志軍;馬和良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及模擬集成電路中的穩(wěn)壓電路領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻識(shí)別中的串聯(lián)穩(wěn)壓電路。

背景技術(shù)

在射頻識(shí)別中，由于射頻識(shí)別卡片大都是無(wú)源的，所以射頻識(shí)別卡片電路的設(shè)計(jì)就相當(dāng)關(guān)鍵和重要。在射頻識(shí)別中，讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的是模擬的正弦波信號(hào)，射頻識(shí)別卡片需要耦合讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的正弦波信號(hào)，并從該正弦波信號(hào)中獲得穩(wěn)定的電源電壓，供給其他電路模塊正常工作所需的電壓。

參見(jiàn)圖1所示，現(xiàn)有的射頻識(shí)別中采用的是并聯(lián)穩(wěn)壓電路。其中包括：由原端電感L1，副端電感L2和電容C1組成的耦合電路；由NMOS晶體管M1、M2和M7，PMOS晶體管M3、M4、M5和M6，電阻R1組成的限幅電路；由電阻R2，PMOS晶體管M8、M9、M10、M11和M12，比較器BJ1，電容C2組成的穩(wěn)壓電路。

穩(wěn)壓電路中的PMOS晶體管M8、M9、M10和M11采用二極管連接方式，然后依次串聯(lián)在電壓電壓VDD與地之間，對(duì)電源電壓VDD進(jìn)行分壓，將分壓后的電壓輸入到比較器BJ1的正端，和負(fù)端的參考電壓VREF進(jìn)行比較，比較后的比較器BJ1的輸出電壓控制PMOS晶體管M12（泄流管）。當(dāng)電源電壓VDD升高時(shí)，分壓得到的電壓就比參考電壓VREF高，比較器BJ1輸出的電壓就高，并聯(lián)的泄流管M12就會(huì)泄放更多的電流，電阻R2上的壓降就大，最終使得電源電壓VDD穩(wěn)定在4倍的參考電壓VREF上。如果參考電壓VREF是450mv，那么電源電壓VDD就穩(wěn)定在1.8V。同樣當(dāng)電源電壓VDD降低時(shí)，泄流管M12就減小泄放的電流，通過(guò)降低電阻R2的壓降來(lái)穩(wěn)定電源電壓VDD。

當(dāng)凹槽來(lái)臨時(shí)，天線上提供的能量就減小，而此時(shí)泄流管M12關(guān)閉需要一定時(shí)間，泄流管M12仍然會(huì)泄放電流，甚至?xí)閮?chǔ)能電容C2中的電荷，因此電源電壓VDD就會(huì)加速降低，射頻識(shí)別卡片比較容易下電。同時(shí)當(dāng)正弦波信號(hào)來(lái)臨的時(shí)候，為了穩(wěn)定電源電壓，并聯(lián)穩(wěn)壓會(huì)阻止凹槽信號(hào)的變化，這將改變凹槽信號(hào)包絡(luò)的形狀，不利于解調(diào)電路的解調(diào)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種射頻識(shí)別中的串聯(lián)穩(wěn)壓電路，使射頻識(shí)別卡片不容易下電，且有利于解調(diào)電路的解調(diào)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的射頻識(shí)別中的串聯(lián)穩(wěn)壓電路，包括：

一耦合電路，將輸入的正弦波信號(hào)耦合到射頻識(shí)別卡片端，并產(chǎn)生諧振電壓；

一限幅電路，與所述耦合電路的輸出端相連接，為串聯(lián)穩(wěn)壓電路提供輸入電壓，并對(duì)該輸入電壓進(jìn)行限幅；其中，還包括：

一串聯(lián)穩(wěn)壓電路，與所述限幅電路的輸出端相連接，用于穩(wěn)定電源電壓；其包括：

一啟動(dòng)電路，用于完成所述串聯(lián)穩(wěn)壓電路整個(gè)電路的啟動(dòng)；

一分壓電路，對(duì)所述電源電壓進(jìn)行分壓，為串聯(lián)穩(wěn)壓主電路和所述啟動(dòng)電路提供輸入電壓；

一串聯(lián)穩(wěn)壓主電路，將MOS晶體管串接在電源產(chǎn)生的環(huán)路中，通過(guò)控制MOS管的柵極電壓來(lái)控制和穩(wěn)定所述電源電壓。

本發(fā)明在傳統(tǒng)并聯(lián)穩(wěn)壓電路的基礎(chǔ)上作了改進(jìn)，將并聯(lián)穩(wěn)壓改成串聯(lián)穩(wěn)壓結(jié)構(gòu)。串聯(lián)穩(wěn)壓電路將MOS管串接在電源產(chǎn)生的環(huán)路中，通過(guò)控制MOS管的柵極電壓來(lái)控制和穩(wěn)定電源電壓；串聯(lián)的MOS管相當(dāng)于一個(gè)可變的電阻，通過(guò)改變電阻值來(lái)穩(wěn)定電源電壓值；流過(guò)所述串聯(lián)的MOS管的電流就是電源電壓上消耗的電流，因此在凹槽期間不會(huì)消耗額外的電流，電源電壓的下降速度就比較緩，這樣射頻識(shí)別卡片就不容易下電復(fù)位；既能在凹槽期間節(jié)省功耗，又有利于信號(hào)的解調(diào)。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是現(xiàn)有的射頻識(shí)別中的并聯(lián)穩(wěn)壓電路原理圖；

圖2是所述射頻識(shí)別中的串聯(lián)穩(wěn)壓電路一實(shí)施例原理圖。

具體實(shí)施方式

參見(jiàn)圖2所示，下面是一具體實(shí)施例，所述射頻識(shí)別中的并聯(lián)穩(wěn)壓電路，包括：一耦合電路，一限幅電路，一串聯(lián)穩(wěn)壓電路。所述串聯(lián)穩(wěn)壓電路，包括：一啟動(dòng)電路，一分壓電路，一串聯(lián)穩(wěn)壓主電路。

所述耦合電路與圖1所示射頻識(shí)別中的并聯(lián)穩(wěn)壓電路的耦合電路結(jié)構(gòu)相同，其包括：原端電感L1，副端電感L2和電容C1。電容C1與副端電感L2并聯(lián)連接，輸入的正弦波信號(hào)IN通過(guò)原端電感L1耦合到副端電感L2，并與電容C1發(fā)生諧振，產(chǎn)生較高的諧振電壓。

所述限幅電路與圖1所示射頻識(shí)別中的并聯(lián)穩(wěn)壓電路的限幅電路結(jié)構(gòu)相同，其包括：第一NMOS晶體管M1、第二NMOS晶體管M2和第三NMOS晶體管M7，第一PMOS晶體管M3、第二PMOS晶體管M4、第三PMOS晶體管M5和第四PMOS晶體管M6，電阻R1。