[發明專利]雙柵極VDMOS器件

在審

• 申請號: 201210434429.2
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035726A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: H·索布提;T·K·麥圭爾;D·L·斯奈德;S·J·阿爾貝哈斯基
• 申請（專利權）人: 馬克西姆綜合產品公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張偉;王英

1.一種半導體器件，包括：

具有第一表面和第二表面的襯底；

貼近所述第一表面形成在所述襯底中的第一導電類型的第一源極區域和第二導電類型的第一體區域，所述第一源極區域形成在所述第一體區域中；

貼近所述第一表面形成在所述襯底中的所述第一導電類型的第二源極區域和所述第二導電類型的第二體區域，所述第二源極區域形成在所述第二體區域中；

貼近所述第二表面形成在所述襯底中的所述第一導電類型的漏極區域；

形成在所述襯底中的所述第一導電類型的外延區域，其被配置為用作所述漏極區域與所述第一源極區域和所述第二源極區域之間的漂移區域；

形成在所述第一表面上方的雙柵極，所述雙柵極包括貼近所述第一體區域的第一柵極區域和貼近所述第二體區域的第二柵極區域，所述第一柵極區域和所述第二柵極區域在所述第一柵極區域與所述第二柵極區域之間限定了間隙；以及

形成在所述間隙中的一個或多個漏極側間隔物。

2.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括設置在所述外延區域中的所述第一導電類型的結型場效應晶體管(JFET)擴散區域，所述JFET擴散區域從所述第一表面延伸到所述第一體區域或所述第二體區域下方。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述外延區域包括第一摻雜濃度，以及所述JFET擴散區域包括第二摻雜濃度，所述第一摻雜濃度高于所述第二摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括形成在所述第一柵極區域和所述第二柵極區域上方的導電層。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層的厚度為大約0.1微米至大約0.5微米。

6.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括形成在所述第一源極區域下面的所述第二導電類型的第一下源極區域和形成在所述第二源極區域下面的所述第二導電類型的第二下源極區域。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一下源極區域和所述第二下源極區域包括所述第二導電類型的摻雜材料。

8.一種半導體器件，包括：

具有第一表面和第二表面的襯底；

貼近所述第一表面形成在所述襯底中的第一導電類型的第一源極區域和第二導電類型的第一體區域，所述第一源極區域形成在所述第一體區域中；

貼近所述第一表面形成在所述襯底中的所述第一導電類型的第二源極區域和所述第二導電類型的第二體區域，所述第二源極區域形成在所述第二體區域中；

貼近所述第二表面形成在所述襯底中的所述第一導電類型的漏極區域；

形成在所述襯底中的所述第一導電類型的外延區域，其被配置為用作所述漏極區域與所述第一源極區域和所述第二源極區域之間的漂移區域；

形成在所述第一表面上方的雙柵極，所述雙柵極包括貼近所述第一體區域的第一柵極區域和貼近所述第二體區域的第二柵極區域，所述第一柵極區域和所述第二柵極區域在所述第一柵極區域與所述第二柵極區域之間限定了間隙；以及

形成在所述第一柵極區域和所述第二柵極區域上方的導電層。

9.如權利要求8所述的半導體器件，進一步包括設置在所述外延區域中的所述第一導電類型的結型場效應晶體管(JFET)擴散區域，所述JFET擴散區域從所述第一表面延伸到所述第一體區域或所述第二體區域下方。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述外延區域包括第一摻雜濃度，以及所述JFET擴散區域包括第二摻雜濃度，所述第一摻雜濃度高于所述第二摻雜濃度。

11.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述導電層的厚度為大約0.1微米至大約0.5微米。

12.如權利要求11所述的半導體器件，進一步包括一個或多個形成在所述間隙中的漏極側間隔物。

13.如權利要求8所述的半導體器件，進一步包括形成在所述第一源極區域下面的所述第二導電類型的第一下源極區域和形成在所述第二源極區域下面的所述第二導電類型的第二下源極區域。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其中所述第一區域和所述第二區域包括所述第二導電類型的摻雜材料。