[發明專利]一種促進冬蟲夏草菌產分生孢子的方法

有效

• 申請號: 201210433385.1
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103782794A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 姚一建;任蜀豫
• 申請（專利權）人: 中國科學院微生物研究所
• 主分類號: A01G1/04
• 分類號: A01G1/04
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;任鳳華

技術領域

本發明涉及一種促進冬蟲夏草菌產分生孢子的方法。

背景技術

冬蟲夏草菌［Ophiocordyceps?sinensis(Berk.)G.H.Sung,J.M.Sung,Hywel-Jones&Spatafora(≡Cordyceps?sinensis(Berk.)Sacc.)］是青藏高原特有的名貴藥用菌，現代研究表明冬蟲夏草具有多種藥理作用，具有很好的應用前景。盡管已經對冬蟲夏草做了大量研究工作，但迄今在人工栽培方面還存在明顯的技術難題。解決這些問題需要更全面地掌握冬蟲夏草菌的生物學性狀。因此，冬蟲夏草菌生物學研究技術的創新，具有重要的理論和實踐意義。

在冬蟲夏草菌培養研究中，分生孢子的研究與菌劑的制備密切相關。目前，冬蟲夏草菌分生孢子研究中的主要困難是分生孢子產量少、周期長，使人工培養獲得分生孢子，以及分生孢子懸液的制備一直沒有很好地得到解決。如何通過培養獲得大量分生孢子，已逐漸成為冬蟲夏草菌生物學研究的瓶頸。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種促進冬蟲夏草菌產生分生孢子的方法。

本發明所提供的促進冬蟲夏草菌產生分生孢子的方法，包括將冬蟲夏草菌在營養刺激和環境刺激的條件下進行培養的步驟；所述步驟包括：

1）將冬蟲夏草菌在富營養固體培養基上在黑暗條件下培養，得到菌絲體；

2）將所述步驟1）的菌絲體轉移到次營養固體培養基上進行下述至少一種刺激培養，得到分生孢子：冷激培養、熱激培養、溫度周期刺激培養、光周期刺激培養、溫度光周期刺激培養和氧化刺激培養；所述富營養固體培養基的氮源含量高于所述次營養固體培養基，所述冬蟲夏草菌在富營養固體培養基中的菌落生長速率大于所述冬蟲夏草菌在次營養固體培養基中的菌落生長速率；

所述冷激培養是將所述菌絲體先置于所述菌絲體能夠存活但不利于生長的低溫中黑暗培養再置于適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述熱激培養是將所述菌絲體先置于所述菌絲體能夠存活但不利于生長的高溫中黑暗培養再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述溫度周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替的環境中黑暗培養至產生分生孢子，或將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述低溫交替的環境中黑暗培養至產生分生孢子；

所述光周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子；

所述溫度光周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替的環境中在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子，或將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和低溫交替的環境中在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子；

所述氧化刺激培養是將所述菌絲體先置于具有氧化脅迫的環境中培養再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子。

本發明中，所述營養刺激是指將菌絲體在所述富營養固體培養基進行菌絲體培養，在所述次營養固體培養基中進行產孢培養。

所述冬蟲夏草菌的適宜生長溫度可為10–23℃，如15–18℃；

所述低溫是低于所述菌絲體生長的適宜溫度且所述菌絲體能夠存活但不利于生長的溫度，如–40–4℃；所述高溫是高于所述菌絲體生長的適宜溫度且所述菌絲體能夠存活但不利于生長的溫度，如24–30℃。所述低溫具體可為–20-4℃，所述高溫具體可為28–30℃。

上述方法中，所述冷激培養可為將所述菌絲體先置于所述低溫中黑暗培養1天再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述熱激培養可為將所述菌絲體先置于所述高溫中黑暗培養1小時再置于適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述溫度周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替是第奇數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第偶數天的溫度為所述高溫；或是第偶數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第奇數天的溫度為所述高溫；

所述溫度周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述低溫交替是第奇數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第偶數天的溫度為所述低溫；或是第偶數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第奇數天的溫度為所述低溫；