[發明專利]一種促進冬蟲夏草菌產分生孢子的方法

有效

• 申請號: 201210433385.1
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103782794A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 姚一建;任蜀豫
• 申請（專利權）人: 中國科學院微生物研究所
• 主分類號: A01G1/04
• 分類號: A01G1/04
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;任鳳華

1.促進冬蟲夏草菌產分生孢子的方法，包括將冬蟲夏草菌在營養刺激和環境刺激的條件下進行培養的步驟；所述步驟包括：

1）將冬蟲夏草菌在富營養固體培養基上在黑暗條件下培養，得到菌絲體；

2）將所述步驟1）的菌絲體轉移到次營養固體培養基上進行下述至少一種刺激培養，得到分生孢子：冷激培養、熱激培養、溫度周期刺激培養、光周期刺激培養、溫度光周期刺激培養和氧化刺激培養；所述富營養固體培養基的氮源含量高于所述次營養固體培養基；

所述冷激培養是將所述菌絲體先置于所述菌絲體能夠存活但不利于生長的低溫中黑暗培養，再置于適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述熱激培養是將所述菌絲體先置于所述菌絲體能夠存活但不利于生長的高溫中黑暗培養，再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述溫度周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替的環境中黑暗培養至產生分生孢子，或將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述低溫交替的環境中黑暗培養至產生分生孢子；

所述光周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子；

所述溫度光周期刺激培養是將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替的環境中在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子，或將所述菌絲體置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度和低溫交替的環境中在每天既有光照又有黑暗的條件下培養至產生分生孢子；

所述氧化刺激培養是將所述菌絲體先置于具有氧化脅迫的環境中培養再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述低溫是低于所述菌絲體生長的適宜溫度且所述菌絲體能夠存活但不利于生長的溫度；所述高溫是高于所述菌絲體生長的適宜溫度且所述菌絲體能夠存活但不利于生長的溫度。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述適宜所述菌絲體生長的溫度為10-23℃；所述低溫為–40-4℃，所述高溫為24-30℃。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述適宜所述菌絲體生長的溫度為15-18℃；所述低溫為20-4℃，所述高溫為28-30℃。

5.根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：

所述冷激培養是將所述菌絲體先置于所述低溫中黑暗培養1天再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述熱激培養是將所述菌絲體先置于所述高溫中黑暗培養1小時再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子；

所述溫度周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替是第奇數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第偶數天的溫度為所述高溫；或是第偶數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第奇數天的溫度為所述高溫；

所述溫度周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述低溫交替是第奇數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第偶數天的溫度為所述低溫；或是第偶數天的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，第奇數天的溫度為所述低溫；

所述溫度光周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述高溫交替是每天光照條件下的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，每天黑暗條件下的溫度為所述高溫；

所述溫度光周期刺激培養中，所述適宜所述菌絲體生長的溫度和所述低溫交替是每天光照條件下的溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度，每天黑暗條件下的溫度為所述低溫；

所述光周期刺激培養和所述溫度光周期刺激培養中，所述每天既有光照又有黑暗的條件是每天16小時光照8小時黑暗；

所述氧化刺激培養是將所述菌絲體先置于20-25mM雙氧水中黑暗培養5分鐘再置于所述適宜所述菌絲體生長的溫度中黑暗培養至產生分生孢子。

6.根據權利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中的培養溫度為所述適宜所述菌絲體生長的溫度；所述光照的強度為4800lux。