[發明專利]一種缺陷檢測的方法

無效

• 申請號: 201210432309.9
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102937597A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;郭明升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01N21/956
• 分類號: G01N21/956
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種缺陷檢測的方法。

背景技術

隨著半導體芯片的集成度不斷提高，集成電路設計從晶體管的集成發展到邏輯門的集成，現在又發展到IP的集成，使得芯片的集成度越來越高，而芯片上的電路分布也就越來越復雜。?

在實際的生產過程的缺陷檢測工藝中，由于各種缺陷的分布往往和電路在芯片上的密度分布是有很強的相關性，現有技術中一般采用光學檢測方法進行芯片上的缺陷檢測；圖1是本發明背景技術中采用光學檢測工藝獲得的缺陷與芯片上電路密度的關系示意圖，由圖1可知，金屬線的缺陷大多都是位于電路密度相對低的芯片區域。

光學檢測工藝是通過將一束光先投射到芯片上，然后利用探測器接受反射和/或散射的光信號，再接受的光信號轉化為不同亮暗分布的數據圖形；圖2a-2c是本發明背景技術中將電路的光學圖轉換為數據灰階圖形的示意圖，如圖2a-2c所示。先采用光信號發射裝置發射檢測光信號至芯片電路圖形1上，然后利用探測器接受芯片電路圖形1反射和/或折射回的光信號圖形2，之后再將光信號圖形2轉換為灰階圖形3，最后再對相鄰芯片組的灰階圖形數據進行比對，以確定缺陷在芯片上的具體位置。

但是，由于芯片上的不同電路圖形對于同一個光源的反射和/或散射信號是不同的，而在實際的操作過程中工程師是通過在設備端大致觀察芯片的電路分布，然后手動的劃分不同的缺陷檢測區域進行缺陷的檢測工藝，這就造成：①由于不能精準的劃分不同電路密度的檢測區域，會造成檢測精度的降低；②由于工程師的工作量巨大，進而造成其工作效率的低下；③由于工程師在缺陷檢測工藝中的工作效率低下，進而會增大占用設備的生產時間，致使設備的生產效率的低下。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明揭示了一種缺陷檢測的方法，主要是通過預先設定芯片電路密度分布圖進行缺陷檢測的工藝。??

本發明的目的是通過下述技術方案實現的：

一種缺陷檢測的方法，其中，?

提供一個完整的芯片；

掃描所述完整的芯片，獲得該完整的芯片的電路密度分布圖；

根據所述電路密度分布圖，設定待檢測芯片的多個缺陷檢測區域；

利用所述多個缺陷檢測區域，對所述待檢測芯片進行缺陷檢測分析。

上述的缺陷檢測的方法，其中，采用光學檢測工藝對所述待檢測芯片進行缺陷檢測分析。

上述的缺陷檢測的方法，其中，采用所述光學檢測工藝中的缺陷檢測光源掃描所述完整的芯片。

上述的缺陷檢測的方法，其中，所述多個缺陷檢測區域的范圍為1-100。

上述的缺陷檢測的方法，其中，根據電路密度梯度等級獲得所述電路密度分布圖。

上述的缺陷檢測的方法，其中，根據缺陷檢測工藝需求設定所述電路密度梯度等級。

上述的缺陷檢測的方法，其中，所述完整的芯片是所述待檢測芯片標本。

上述的缺陷檢測的方法，其中，根據缺陷檢測工藝的需求設定所述檢測區域的個數。???????????????

綜上所述，本發明一種缺陷檢測的方法，通過采用完整的芯片掃描獲得電路密度分布圖，并以該電路密度分布圖設定多個缺陷檢測區域，進而利用該缺陷檢測區域進行芯片的缺陷檢測分析工藝，由于能精準的劃分不同電路密度的檢測區域，以提高缺陷檢測的精度，有效的降低工程師的工作量，從而提高工程師在缺陷檢測工藝中的工作效率，進而降低設備的生產時間，大大的提高了檢測工藝的生產效率。

。

附圖說明

圖1是本發明背景技術中采用光學檢測工藝獲得的缺陷與芯片上電路密度的關系示意圖；?

圖2a-2c是本發明背景技術中將電路的光學圖轉換為數據灰階圖形的示意圖；

圖3是本發明缺陷檢測的方法的實施例中芯片電路密度分布示意圖；

圖4是本發明缺陷檢測的方法的實施例中缺陷檢測區域示意圖。

具體實施方式??

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明：

如圖3-4所示，本發明一種缺陷檢測的方法，首先，提供一個作為待檢測芯片標本的完整的芯片，采用光學檢測工藝中的缺陷檢測光源掃描該完整的芯片，并根據缺陷檢測工藝需求設定電路密度梯度等級，利用設定好的電路密度等級及光學檢測工藝中的探測器接收到的芯片電路圖形反射和/或折射回的光信號圖形，獲得如圖3所示的該完整的芯片在一定電路密度梯度等級下的芯片電路密度分布圖。