[發明專利]一種缺陷檢測的方法無效
| 申請號： | 201210432309.9 | 申請日： | 2012-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN102937597A | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發明（設計）人： | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;郭明升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/956 | 分類號： | G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 缺陷 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種缺陷檢測的方法，其特征在于，?
提供一個完整的芯片；
掃描所述完整的芯片，獲得該完整的芯片的電路密度分布圖；
根據所述電路密度分布圖，設定待檢測芯片的多個缺陷檢測區域；
利用所述多個缺陷檢測區域，對所述待檢測芯片進行缺陷檢測分析。
2.根據權利要求1所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，采用光學檢測工藝對所述待檢測芯片進行缺陷檢測分析。
3.根據權利要求2所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，采用所述光學檢測工藝中的缺陷檢測光源掃描所述完整的芯片。
4.根據權利要求1所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，所述多個缺陷檢測區域的范圍為1-100。
5.根據權利要求1所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，根據電路密度梯度等級獲得所述電路密度分布圖。
6.根據權利要求5所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，根據缺陷檢測工藝需求設定所述電路密度梯度等級。
7.根據權利要求1所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，所述完整的芯片是所述待檢測芯片標本。
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的缺陷檢測的方法，其特征在于，根據缺陷檢測工藝的需求設定所述檢測區域的個數。
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