[發明專利]一種功率器件的制作方法

無效

• 申請號: 201210430641.1
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN102969249A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 李澤宏;楊文韜;單亞東;顧鴻鳴;張金平;任敏
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/331
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種功率器件的制作方法，包括以下步驟：1）硅片去除自然氧化層；2）在硅片表面熱生長一層墊氧緩沖層；3）沉積氧化阻擋層；4）光刻氧化阻擋層；5）氧化生長場氧化層；6）去除氧化阻擋層；7）場限環注入并退火；8）有源區刻蝕并注入；9）熱氧化生長柵氧化層；10）沉積多晶硅柵；11）光刻多晶硅柵；12）基區注入并退火；13）源區注入并退火；14）沉積介質層；15）刻蝕接觸孔；16）體區注入并退火；17）沉積正面金屬；18）刻蝕正面金屬；19）沉積鈍化層；20）刻蝕PAD孔；21）背面工藝。

2.根據權利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征是，步驟2制作的墊氧緩沖層為二氧化硅層或二氧化硅與多晶硅的組合層。

3.根據權利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征是，步驟3中氧化阻擋層為氮化硅層。