[發(fā)明專利]沉積裝置及用其制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210428488.9 | 申請日: | 2012-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN103255370A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李相雨 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/12 | 分類號: | C23C14/12;C23C14/54;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 裝置 制造 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 方法 | ||
1.沉積裝置,包括:
沉積源,用于排放待沉積在襯底上的沉積材料;
角度控制部,至少部分處于所述沉積材料的排放路徑中,所述角度控制部用于控制所述沉積材料的排放角度;以及
角度控制部驅(qū)動器,與所述角度控制部聯(lián)接,所述角度控制部驅(qū)動器用于使所述角度控制部在所述沉積材料的排放方向上移動以控制所述排放角度。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中所述沉積源包括用于排放所述沉積材料的噴嘴,以及
其中所述角度控制部包括一對角度控制部,所述一對角度控制部中的每一個(gè)位于所述沉積源的長側(cè)上并且在所述沉積源的長度方向上延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,還包括一對蓋板,每個(gè)蓋板位于所述一對角度控制部中的各角度控制部的一側(cè)上,
其中,所述一對蓋板配置為在與所述排放方向交叉的方向上移動以控制所述一對蓋板之間的間隙。
4.如權(quán)利要求3所述的沉積裝置,其中,所述蓋板的移動對應(yīng)于所述角度控制部的移動。
5.如權(quán)利要求3所述的沉積裝置,其中,所述一對蓋板包括在所述沉積源的所述長度方向上彼此相鄰的至少兩對蓋板。
6.如權(quán)利要求5所述的沉積裝置,其中,所述至少兩對蓋板中的每個(gè)蓋板能夠獨(dú)立地操作。
7.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,所述角度控制部驅(qū)動器包括滾珠絲杠驅(qū)動器、汽缸驅(qū)動器或者線性移動引導(dǎo)驅(qū)動器。
8.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,還包括控制器,所述控制器用于控制所述角度控制部驅(qū)動器根據(jù)工藝條件來移動所述角度控制部。
9.制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,所述方法包括:
將襯底面朝用于排放沉積材料的沉積源;以及
通過將所述沉積材料排放在所述襯底上而在所述襯底上形成薄膜,
其中,在所述襯底上形成所述薄膜包括通過使角度控制部相對于所述沉積源移動來控制所述沉積材料的排放角度,所述角度控制部部分處于所述沉積材料的排放路徑中。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,使所述角度控制部移動包括以與經(jīng)過的工序時(shí)間量對應(yīng)的速度使所述角度控制部朝向所述沉積源移動。
11.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述沉積材料包括用于形成有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)材料,以及
其中,所述薄膜包括所述有機(jī)發(fā)射層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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