[發明專利]一種碳納米管復合鍍層的制備方法有效
| 申請號: | 201210428179.1 | 申請日: | 2012-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN102965706A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 王升高;柳毅;孔曾杰;徐開偉;方小春;王傳新;汪建華 | 申請(專利權)人: | 武漢工程大學 |
| 主分類號: | C25D7/04 | 分類號: | C25D7/04;C25D5/54 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 430073 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 復合 鍍層 制備 方法 | ||
1.一種碳納米管復合鍍層致密性的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
A、碳納米管改性:將碳納米管利用含氧的等離子體進行表面改性;
B、負載二氧化鈦:將改性后的所述碳納米管放置在相對濕度為80-90%的環境中,放置5-10分鐘后,將所述碳納米管放入由保護氣和四氯化鈦氣體組成的混合氣體中,放置3-5分鐘后,將所述碳納米管進行高溫處理,處理溫度為200-300℃,處理時間為10-20分鐘;
C、電鍍:將高溫處理后的所述碳納米管分散于電鍍液中對金屬材料進行電鍍,即可在所述金屬材料表面獲得高致密性的碳納米管金屬基復合鍍層。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述等離子體為微波等離子體、射頻等離子體、直流等離子體或阻擋介質放電等離子體。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,利用所述射頻等離子體對碳納米管進行改性的工藝參數為:工作氣壓80Pa,功率100W,工作氣體為空氣,氣體流速為100sccm,改性時間50s。
4.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,利用所述微波等離子體對碳納米管進行改性的工藝參數為:工作氣壓1kPa,功率200W,工作氣體為空氣或氧氣和氬氣的混合氣體,氣體流速為100sccm,改性時間20-30s。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述氧氣和氬氣的混合氣體中,所述氧氣的體積百分數為10-30%。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述保護氣和四氯化鈦氣體的混合氣體中,所述四氯化鈦氣體的體積百分數為3-6%。
7.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法,其特征在于,所述保護氣為氮氣。
8.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法,其特征在于,所述電鍍液中含有鎳離子、銅離子或鈷離子中的至少一種。
9.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法,其特征在于,所述碳納米管在所述電鍍液中的含量為0.1-0.2g/L。
10.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法,其特征在于,所述電鍍的工藝參數為:電鍍溫度25-40℃,電流密度2.2-3A/dm2,電鍍時間30-50min。
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