[發(fā)明專利]用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng)及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210428131.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103792504B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱東梁;葉人榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京元電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R35/00 | 分類號(hào): | G01R35/00;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11019 | 代理人: | 壽寧 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 元件 自我 測(cè)試 系統(tǒng) 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),特別是涉及一種用于晶圓級(jí)感測(cè)元件中可以有效降低測(cè)試成本及提升檢測(cè)效率的自我測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)
由于現(xiàn)今微機(jī)電元件應(yīng)用層面愈趨勃蓬廣泛,并且半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展亦日趨成熟,導(dǎo)致微機(jī)電元件售價(jià)逐年遞減,而其中元件測(cè)試成本卻因所需的高價(jià)測(cè)試機(jī)臺(tái)而難以降低,致使無(wú)法有效降低整體成本。
尤其是目前一般在晶圓等級(jí)元件測(cè)試時(shí),測(cè)試過(guò)程中必需使用外部測(cè)量?jī)x器,并借由外部導(dǎo)線的接線方式,才能進(jìn)行微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)晶圓級(jí)結(jié)構(gòu)的微小電容量測(cè)。然而,因其需要搭配使用外部測(cè)量?jī)x器,故于量產(chǎn)階段中,通盤(pán)考慮儀器成本和測(cè)試時(shí)間成本后,則產(chǎn)出利潤(rùn)將無(wú)法達(dá)到最大化且難以提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
有鑒于上述問(wèn)題,因此亟需提出具有高效率及高效益的晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng)及其方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其可以有效降低測(cè)試成本及提升檢測(cè)效率。
本發(fā)明的另一目的在于,提供一種用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng)的方法。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其包含:晶圓級(jí)感測(cè)元件,包含固定單元及可動(dòng)單元,其中該固定單元與該可動(dòng)單元之間形成感應(yīng)電容;及測(cè)試模塊,用以電性連接該晶圓級(jí)感測(cè)元件,其中該測(cè)試模塊包含測(cè)試電路,用以量測(cè)該感應(yīng)電容;其中該晶圓級(jí)感測(cè)元件,用以接收輸入信號(hào),使該感應(yīng)電容產(chǎn)生電容值變化量,而該測(cè)試電路根據(jù)該電容值變化量,輸出測(cè)試信號(hào)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其中該固定單元包含至少兩個(gè)固定臂。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其中該可動(dòng)單元包含質(zhì)量塊及移動(dòng)臂,其中該移動(dòng)臂設(shè)于該質(zhì)量塊上,且該移動(dòng)臂位于該些固定臂之間。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其中該固定單元及該可動(dòng)單元分別包含信號(hào)輸入端,且該該固定單元還包含信號(hào)輸出端。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其中該測(cè)試電路包含轉(zhuǎn)阻放大器、混頻器及濾波器。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng),其中該測(cè)試電路內(nèi)建于探針卡或測(cè)試機(jī)的測(cè)試電路板。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試方法,其中該晶圓級(jí)感測(cè)元件包含可動(dòng)單元及固定單元,且該可動(dòng)單元與該固定單元間形成感應(yīng)電容,該方法包含:提供輸入信號(hào)至該晶圓級(jí)感測(cè)元件;根據(jù)該輸入信號(hào)產(chǎn)生該感應(yīng)電容的電容值變化量;根據(jù)該電容值變化量,輸出測(cè)試信號(hào)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試方法,其中該輸入信號(hào)包含激勵(lì)信號(hào)及調(diào)變信號(hào)。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試方法,其中提供該輸入信號(hào)的步驟包含:將該調(diào)變信號(hào)及該激勵(lì)信號(hào)分別輸入至該可動(dòng)單元及該固定單元。
前述的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試方法,其中輸出該測(cè)試信號(hào)的步驟包含:使用測(cè)試電路,檢測(cè)該感應(yīng)電容的該電容值變化量,以判讀是否良好完整。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng)及其方法可達(dá)到相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)步性及實(shí)用性,并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價(jià)值,其至少具有下列優(yōu)點(diǎn):在晶圓級(jí)測(cè)試時(shí)僅需借由任意波形產(chǎn)生器產(chǎn)生輸入信號(hào),即可進(jìn)行檢測(cè),且所需測(cè)試電路的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易,完全可取代外部測(cè)量?jī)x器,而能大幅降低整體測(cè)試成本。此外,通過(guò)將測(cè)試電路整合配置于測(cè)試模塊上,同時(shí)亦能縮短測(cè)試時(shí)間以增加測(cè)試效率。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1A繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于晶圓級(jí)感測(cè)元件的自我測(cè)試系統(tǒng)的示意圖。
圖1B繪示圖1A中的自我測(cè)試系統(tǒng)的等效電路圖。
圖2A-圖2C分別繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的測(cè)試電路中的轉(zhuǎn)阻放大器、混頻器及濾波器的輸出信號(hào)圖。
圖3A繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的自我測(cè)試系統(tǒng)的功能方框圖。
圖3B繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的自我測(cè)試系統(tǒng)的功能方框圖。
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