[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210427775.8
• 申請日: 2009-11-23
• 公開（公告）號: CN102931154A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 牟田忠義
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/522
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

在半導體基板的前表面上形成的電極焊盤；

在與電極焊盤的位置對應的半導體基板的后表面上具有開口部分并且貫穿半導體基板的通孔；

至少在通孔的內壁上形成的絕緣膜；

在所述絕緣膜上且至少在通孔的內壁的開口部分中形成的粘接穩固層；和

在包括所述粘接穩固層之上的區域的通孔的內壁以及通孔的底部上形成的導電層，

其中，所述電極焊盤與所述導電層接觸，以及

其中，所述粘接穩固層由鈦、鎢或鉻形成。

2.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述粘接穩固層的厚度為0.01μm~0.1μm。

3.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述粘接穩固層被形成在通孔的內壁上從而從開口部分的邊緣伸出1mm或更多。

4.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述導電層包括阻擋層、籽層和電鍍層。

5.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述絕緣膜由聚對二甲苯、聚酰亞胺樹脂、順丁烯二酰亞胺樹脂、改性的環氧樹脂、改性的丙烯酸樹脂、硅樹脂、碳氟化合物樹脂或三聚氰胺樹脂形成。

6.根據權利要求4的半導體裝置，其中，所述阻擋層由鈦、鉻、鎢、鈦鎢、氮化鈦或氮化鉭形成。

7.根據權利要求4的半導體裝置，其中，所述籽層由金形成。

8.根據權利要求4的半導體裝置，其中，所述電鍍層由金形成。