[發明專利]銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201210427576.7
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103788948A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料、其制備方法、銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料，仍未見報道。

發明內容

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料、其制備方法、銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料的薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料，其化學式為La_aGd_bLu_cSiO₅∶xEu²⁺,yTb³⁺，其中La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，銪離子和鋱離子是激活元素，x為0.01~0.05，y為0.005~0.03，a為0~2，b為0~2，c為0~2，且a+b+c=2。

一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料的制備方法，包括以下步驟：

根據La_aGd_bLu_cSiO₅∶xEu²⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，SiO,Eu₂O₃和Tb₄O₇粉體并混合均勻，其中x為0.01~0.05，y為0.005~0.03，a為0~2，b為0~2，c為0~2，且a+b+c=2；及

將混合均勻的粉體在900℃~1300℃下燒結0.5小時~5小時即得到化學式為La_aGd_bLu_cSiO₅∶xEu²⁺,yTb³⁺的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料。

一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，該銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為La_aGd_bLu_cSiO₅∶xEu²⁺,yTb³⁺，其中La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，銪離子和鋱離子是激活元素，x為0.01~0.05，y為0.005~0.03，a為0~2，b為0~2，c為0~2，且a+b+c=2。

一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據La_aGd_bLu_cSiO₅∶xEu²⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，SiO,Eu₂O₃和Tb₄O₇粉體并混合均勻在900℃~1300℃下燒結0.5小時~5小時制成靶材，其中x為0.01~0.05，y為0.005~0.03，a為0~2，b為0~2，c為0~2，且a+b+c=2；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa；及