[發明專利]銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料、制備方法及其應用無效
| 申請號: | 201210427576.7 | 申請日: | 2012-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN103788948A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/79 | 分類號: | C09K11/79;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 銪鋱共 摻雜 稀土 硅酸鹽 發光 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料,其特征在于:其化學式為LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+,其中LaaGdbLucSiO5是基質,銪離子和鋱離子是激活元素,x為0.01~0.05,y為0.005~0.03,a為0~2,b為0~2,c為0~2,且a+b+c=2。
2.一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
根據LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化學計量比稱取La2O3,Gd2O3,Lu2O3,SiO,Eu2O3和Tb4O7粉體并混合均勻,其中x為0.01~0.05,y為0.005~0.03,a為0~2,b為0~2,c為0~2,且a+b+c=2;及
將混合均勻的粉體在900℃~1300℃下燒結0.5小時~5小時即得到化學式為LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光材料。
3.一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜,其特征在于,該銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+,其中LaaGdbLucSiO5是基質,銪離子和鋱離子是激活元素,x為0.01~0.05,y為0.005~0.03,a為0~2,b為0~2,c為0~2,且a+b+c=2。
4.一種銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
根據LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化學計量比稱取La2O3,Gd2O3,Lu2O3,SiO,Eu2O3和Tb4O7粉體并混合均勻在900℃~1300℃下燒結0.5小時~5小時制成靶材,其中,x為0.01~0.05,y為0.005~0.03,a為0~2,b為0~2,c為0~2,且a+b+c=2;
將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體,并將真空腔體的真空度設置為1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa;及
調整磁控濺射鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm~95mm,磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa,工作氣體的流量為10sccm~35sccm,襯底溫度為250℃~750℃,接著進行制膜,得到化學式為LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜。
5.根據權利要求4所述的銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法,其特征在于,還包括步驟:將所述銪鋱共摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜于500℃~800℃下真空退火處理1h~3h。
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