[發(fā)明專利]包含硅涂布?xì)怏w供給管道的系統(tǒng)與施加涂層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210425583.3
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103094040A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石洪;約翰·邁克爾·克恩斯;方言;艾倫·龍尼
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及包含硅保護(hù)層的氣體供給管道，并且更具體地，涉及包含含有硅保護(hù)層的氣體供給管道的等離子體蝕刻系統(tǒng)，以及將硅保護(hù)層施加到氣體供給管道的方法。

背景技術(shù)

盡管本發(fā)明的上下文中不限定于用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的特定類型的等離子體系統(tǒng)，但為例證的目的，等離子體蝕刻系統(tǒng)通常通過使工藝氣體經(jīng)相對高的頻率的電場（例如，約13.56MHz）的作用而產(chǎn)生等離子體。等離子體通常容納于包繞基本保持在真空的空間體積的等離子體處理室中，即，可以用真空抽氣系統(tǒng)將空氣從等離子體處理室抽空以保持壓強(qiáng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于大氣壓強(qiáng)。半導(dǎo)體或玻璃襯底，諸如，例如，包含硅的晶片，可以放置在等離子體處理室中，并使其經(jīng)受等離子體作用以將該襯底改變成所希望的器件。

發(fā)明內(nèi)容

圖1示出了包含工藝氣體源102的等離子體蝕刻系統(tǒng)100，工藝氣體源102與等離子體處理室104通過氣體供給管道106流體連通。例如，工藝氣體源102可以提供工藝氣體到等離子體處理室106。有關(guān)類似于圖1所示的等離子體蝕刻系統(tǒng)100的結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步的教導(dǎo)可以在美國專利文獻(xiàn)US?Pub.No.2011/0056626中找到，其中的相關(guān)部分通過引用并入本文。

工藝氣體可包括鹵素氣體，并且可能侵蝕氣體供給管道106。實(shí)踐本文所描述的實(shí)施方式可能會發(fā)現(xiàn)在減少工藝氣體對用于多種類型的等離子體蝕刻系統(tǒng)的多種類型的氣體供給管道的有害影響中的有利效用。

在一種實(shí)施方式中，等離子體蝕刻系統(tǒng)可以包括工藝氣體源、等離子體處理室和氣體供給管道。該工藝氣體源可與氣體供給管道流體連通。氣體供給管道可與等離子體處理室流體連通。工藝配方氣體（process?gas?recipe）可以通過氣體供給管道輸送，使得工藝配方氣體從工藝氣體源輸送到等離子體處理室。可以由等離子體處理室中的工藝配方氣體形成用于蝕刻器件的等離子體。氣體供給管道可包括形成內(nèi)部配方接觸表面和外部環(huán)境接觸表面的耐腐蝕的層狀結(jié)構(gòu)。耐腐蝕的層狀結(jié)構(gòu)可以包括硅保護(hù)層、鈍化的耦合連接層和不銹鋼層。內(nèi)部配方接觸表面可以由硅保護(hù)層形成。可以設(shè)置鈍化的耦合連接層在硅保護(hù)層和不銹鋼層之間。鈍化的耦合連接層可以包括鉻的氧化物和鐵的氧化物。在鈍化的耦合連接層中鉻的氧化物可比鐵的氧化物更多。

在另一種實(shí)施方式中，用于施加涂層的方法可包括提供含有不銹鋼的氣體供給管道。氣體供給管道可以被電拋光，以產(chǎn)生電拋光過的氣體供給管道。可以施加鈍化溶液到電拋光過的氣體供給管道，以產(chǎn)生鈍化的氣體供給管道。鈍化的氣體供給管道可包括鈍化的耦合連接層。鈍化溶液可以包括硝酸。可以施加硅保護(hù)層到鈍化的氣體供給管道的鈍化的耦合連接層。鈍化的耦合連接層可以包括鉻的氧化物和鐵的氧化物。在鈍化的耦合連接層中鉻的氧化物可比鐵的氧化物更多。

結(jié)合附圖，基于以下詳細(xì)描述將充分地理解這些和本文所描述的實(shí)施方式所提供的附加特征。

附圖說明

在附圖中闡述的實(shí)施方式本質(zhì)上是說明性的和示例性的，并不意圖限制由權(quán)利要求書限定的主題。當(dāng)結(jié)合下面的附圖可以理解說明性實(shí)施方式的以下詳細(xì)描述，其中類似的結(jié)構(gòu)用類似的附圖標(biāo)記表示，并且其中：

圖1示意性地描繪了根據(jù)本文所顯示的和描述的一種或多種實(shí)施方式所述的等離子體蝕刻系統(tǒng)；

圖2示意性地描繪了根據(jù)本文所顯示的和描述的一種或多種實(shí)施方式所述的氣體供給管道；

圖3示意性地描繪了根據(jù)本文所顯示的和描述的一種或多種實(shí)施方式所述的氣體供給管道的橫剖視圖；

圖4示意性地描繪了根據(jù)本文所顯示的和描述的一種或多種實(shí)施方式所述的噴射器塊的剖視圖。

具體實(shí)施方式

正如上面指出的，本公開涉及包含硅保護(hù)層的氣體供給管道。氣體供給管道可以諸如，例如，在等離子體蝕刻或沉積操作中，用于等離子體蝕刻系統(tǒng)中以運(yùn)輸工藝氣體。本公開的構(gòu)思不應(yīng)該限于等離子體蝕刻系統(tǒng)。因此，本文所描述的氣體供給管道，可用于各種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)或其他輸送系統(tǒng)以輸送類似于本文描述的工藝配方氣體的氣體。