[發明專利]包含硅涂布氣體供給管道的系統與施加涂層的方法

有效

• 申請號: 201210425583.3
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103094040A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 石洪;約翰·邁克爾·克恩斯;方言;艾倫·龍尼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種包含工藝氣體源、等離子體處理室和氣體供給管道的等離子體蝕刻系統，其中：

所述工藝氣體源與所述氣體供給管道流體連通；

所述氣體供給管道與所述等離子體處理室流體連通；

工藝配方氣體通過所述氣體供給管道輸送，使得所述工藝配方氣體從所述工藝氣體源輸送到所述等離子體處理室；

用于蝕刻器件的等離子體在所述等離子體處理室中由所述工藝配方氣體形成；

所述氣體供給管道包括形成內部配方接觸表面和外部環境接觸表面的耐腐蝕的層狀結構；

所述耐腐蝕的層狀結構包括硅保護層、鈍化的耦合連接層和不銹鋼層；

所述內部配方接觸表面由所述硅保護層形成；

所述鈍化的耦合連接層被布置在所述硅保護層和所述不銹鋼層之間；以及

所述鈍化的耦合連接層包括鉻的氧化物和鐵的氧化物，以使在所述鈍化的耦合連接層中所述鉻的氧化物比所述鐵的氧化物更多。

2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述硅保護層小于約1微米厚。

3.根據權利要求2所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述硅保護層小于約0.85微米。

4.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，在所述鈍化的耦合連接層中所述鉻的氧化物與所述鐵的氧化物的比例大于約2。

5.根據權利要求4所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述鈍化的耦合連接層小于約1微米厚。

6.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述不銹鋼層包括316L不銹鋼。

7.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述不銹鋼層包括316L?VIM/VAR不銹鋼。

8.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述氣體供給管道包括波紋管且所述波紋管包括所述耐腐蝕的層狀結構。

9.根據權利要求8所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述波紋管的彎曲度被限制為小于約±10°。

10.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述氣體供給管道包括熱影響區且所述熱影響區包括所述耐腐蝕的層狀結構。

11.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述氣體供給管道包括噴射器塊且所述噴射器塊包括所述耐腐蝕的層狀結構。

12.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述氣體供給管道包括微型接頭且所述微型接頭包括所述耐腐蝕的層狀結構。

13.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中：

所述耐腐蝕的層狀結構包括第二硅保護層和第二鈍化的耦合連接層以及不銹鋼層；

所述外部環境接觸表面由所述第二硅保護層形成；

所述第二鈍化的耦合連接層被布置在所述第二硅保護層和所述不銹鋼層之間。

14.一種施加涂層的方法，所述方法包括：

提供包括不銹鋼的氣體供給管道；

電拋光所述氣體供給管道，以產生電拋光的氣體供給管道；

給所述電拋光的氣體供給管道施加鈍化溶液，以得到含有鈍化的耦合連接層的鈍化的氣體供給管道，其中，所述鈍化溶液包括硝酸；以及

給所述鈍化的氣體供給管道的所述鈍化的耦合連接層施加硅保護層，其中，所述鈍化的耦合連接層包括鉻的氧化物和鐵的氧化物，以使在所述鈍化的耦合連接層所述鉻的氧化物比所述鐵的氧化物更多。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括焊接所述氣體供給管道，其中，所述氣體供給管道包括微型接頭、波紋管和噴射器塊。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，所述氣體供給管道包括316L不銹鋼、316L?VIM/VAR不銹鋼、或316L不銹鋼和316L?VIM/VAR不銹鋼兩者。

17.根據權利要求14所述的方法，其中，所述電拋光的氣體供給管道具有小于約20微英寸的表面粗糙度Ra。

18.根據權利要求14所述的方法，其中，所述鈍化溶液包括小于約50％的體積百分比的所述硝酸。

19.根據權利要求14所述的方法，其中，所述鈍化溶液被施用的時間超過約60分鐘

20.根據權利要求14所述的方法，其中，在所述鈍化的耦合連接層中所述鉻的氧化物與所述鐵的氧化物的比例為大于約2，且所述硅保護層小于約1微米厚。