[發(fā)明專利]封裝基板阻焊制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210424809.8
• 申請(qǐng)日: 2012-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN102931096A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉秋華;王阿紅;胡廣群;吳小龍;吳梅珠;徐杰棟;梁少文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫江南計(jì)算技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種封裝基板阻焊制作方法。

背景技術(shù)

封裝基板通常沒有阻焊要求，但對(duì)于有阻焊要求的封裝基板，板面阻焊在焊接和使用過程中的可靠性非常重要，由此封裝基板阻焊通常會(huì)有相應(yīng)的可靠性測試。

封裝基板上阻焊有幾項(xiàng)比較難通過的測試項(xiàng)目，壓力鍋試驗(yàn)就是其中一種。采用常規(guī)方法制作封裝基板阻焊后，進(jìn)行壓力鍋測試阻焊很容易出現(xiàn)發(fā)白起泡現(xiàn)象。

具體地說，常規(guī)絲印阻焊關(guān)鍵工藝流程為：前處理→絲印阻焊→預(yù)烘→曝光→顯影→后固化。對(duì)于該工藝流程，絲印阻焊時(shí)因封裝基板線寬/間距很小，加上阻焊黏度較大，所以阻焊很難充分與基材和線路結(jié)合，特別是線路之間的間隙內(nèi)部。

根據(jù)應(yīng)用環(huán)境的要求，部分封裝基板絲印阻焊后需要進(jìn)行壓力鍋試驗(yàn)，壓力鍋試驗(yàn)時(shí)封裝基板必須經(jīng)過121℃±2℃，相對(duì)濕度100％RH，蒸汽壓力205kPa條件下168+0/+5h的測試。進(jìn)行壓力鍋試驗(yàn)時(shí)，在高溫、高壓、高濕度的條件下，常規(guī)工藝獲得的阻焊不夠致密，且與板面結(jié)合不夠緊密，容易被水汽滲透造成阻焊發(fā)白起泡的問題，無法滿足可靠性要求。

因此，希望提供一種能夠解決壓力鍋試驗(yàn)后阻焊發(fā)白起泡的問題的封裝基板阻焊制作方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決壓力鍋試驗(yàn)后阻焊發(fā)白起泡的問題的封裝基板阻焊制作方法。

根據(jù)本發(fā)明，提供了一種封裝基板阻焊制作方法，其包括依次執(zhí)行的步驟：第一步驟：在對(duì)封裝基板進(jìn)行前處理之后執(zhí)行阻焊絲印；第二步驟：對(duì)封裝基板進(jìn)行預(yù)烘；第三步驟：利用真空壓膜機(jī)對(duì)封裝基板上的阻焊進(jìn)行第一次壓合，以便對(duì)封裝基板上的阻焊進(jìn)行抽真空、加熱及加壓；第四步驟：利用真空壓膜機(jī)對(duì)封裝基板上的阻焊進(jìn)行第二次壓合，以便對(duì)封裝基板上的阻焊進(jìn)行加熱、加壓及平坦化；第五步驟：對(duì)封裝基板上的阻焊執(zhí)行曝光、顯影、后固化。

優(yōu)選地，在所述第一步驟中，執(zhí)行阻焊絲印之后得到的阻焊濕膜的厚度為40-60μm。

優(yōu)選地，在第二步驟中，預(yù)烘的溫度和時(shí)間分別為60-80°C、40-60min。

優(yōu)選地，在所述第三步驟中，在預(yù)烘后，在封裝基板上布置平整的離型膜，此后在利用上蓋片及下蓋片覆蓋封裝基板的情況下，對(duì)封裝基板進(jìn)行抽真空，接著對(duì)封裝基板進(jìn)行第一次熱壓。

優(yōu)選地，在所述第三步驟中，熱壓壓力為2-5.2MPa，熱壓溫度為60-80°C，熱壓時(shí)間為20-40S。

優(yōu)選地，所述上蓋片和所述下蓋片是膠質(zhì)材料。

優(yōu)選地，在第四步驟中，在完成第三步驟的處理后，對(duì)封裝基板進(jìn)行第二次熱壓，其中增加熱壓溫度和熱壓壓力使得第四步驟中熱壓溫度和熱壓壓力分別大于第三步驟中的熱壓溫度和熱壓壓力。

優(yōu)選地，在第四步驟中，在對(duì)封裝基板進(jìn)行第二次熱壓之后，使封裝基板通過載膜冷卻后，利用載膜卷曲裝置將載膜去除，離型膜待板面充分冷卻后手工去除。

優(yōu)選地，在所述第三步驟和第四步驟中，采用其它類型的可與阻焊輕松剝離且不會(huì)在阻焊面上殘留凹坑或印痕的離型膜。

優(yōu)選地，在所述第三步驟和第四步驟中，采用改性樹脂復(fù)合硅氧材料制成的離型膜。

本發(fā)明調(diào)整了常規(guī)絲印阻焊的工藝流程，在曝光前增加了真空壓膜工藝；本發(fā)明將封裝基板上的阻焊通過真空壓膜機(jī)的抽真空、壓合和整平的作用，在曝光前對(duì)封裝基板上的阻焊進(jìn)行壓合和整平，在保證阻焊厚度的前提下，增加了阻焊自身內(nèi)部的致密性及其與封裝基板板面的結(jié)合力，由此通過增加阻焊真空壓膜的工藝，使封裝基板絲印阻焊后能夠耐壓力鍋試驗(yàn)，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中壓力鍋試驗(yàn)后阻焊發(fā)白起泡的技術(shù)問題。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板阻焊制作方法的流程圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板阻焊制作方法的真空壓膜過程的示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。