[發明專利]封裝基板阻焊制作方法有效
| 申請號： | 201210424809.8 | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN102931096A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 劉秋華;王阿紅;胡廣群;吳小龍;吳梅珠;徐杰棟;梁少文 | 申請（專利權）人： | 無錫江南計算技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 龔燮英 |
| 地址： | 214083 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 基板阻焊 制作方法 | ||
1.一種封裝基板阻焊制作方法，其特征在于包括依次執行的步驟：?
第一步驟：在對封裝基板進行前處理之后執行阻焊絲?。?
第二步驟：對封裝基板進行預烘；?
第三步驟：利用真空壓膜機對封裝基板上的阻焊進行第一次壓合，以便對封裝基板上的阻焊進行抽真空、加熱及加壓；?
第四步驟：利用真空壓膜機對封裝基板上的阻焊進行第二次壓合，以便對封裝基板上的阻焊進行加熱、加壓及平坦化；?
第五步驟：對封裝基板上的阻焊執行曝光、顯影、后固化。?
2.根據權利要求1所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第一步驟中，執行阻焊絲印之后得到的阻焊濕膜的厚度為40-60μm。?
3.根據權利要求1或2所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在第二步驟中，預烘的溫度和時間分別為60-80°C、40-60min。?
4.根據權利要求1至3之一所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步驟中，在預烘后，在封裝基板上布置平整的離型膜，此后在利用上蓋片及下蓋片覆蓋封裝基板的情況下，對封裝基板進行抽真空，接著對封裝基板進行第一次熱壓。?
5.根據權利要求4所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步驟中，熱壓壓力為2-5.2MPa，熱壓溫度為60-80°C，熱壓時間為20-40S。?
6.根據權利要求1或2所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，所述上蓋片和所述下蓋片是膠質材料。?
7.根據權利要求1至6之一所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在第四步驟中，在完成第三步驟的處理后，對封裝基板進行第二次熱壓，其中增加熱壓溫度和熱壓壓力使得第四步驟中熱壓溫度和熱壓壓力分別大于第三步驟中的熱壓溫度和熱壓壓力。?
8.根據權利要求7所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在第四步驟中，在對封裝基板進行第二次熱壓之后，使封裝基板通過載膜冷卻后，利用載膜卷曲裝置將載膜去除，離型膜待板面充分冷卻后手工去除。?
9.根據權利要求1至8之一所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步驟和第四步驟中，采用其它類型的可與阻焊輕松剝離且不會在阻焊面上殘留凹坑或印痕的離型膜。?
10.根據權利要求1至9之一所述的封裝基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步驟和第四步驟中，采用改性樹脂復合硅氧材料制成的離型膜。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
