[發明專利]半導體器件有效

申請號：	201210424017.0	申請日：	2012-10-29
公開（公告）號：	CN103794639B	公開（公告）日：	2018-01-16
發明（設計）人：	王者偉	申請（專利權）人：	無錫華潤上華科技有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06;H01L29/78
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司11227	代理人：	常亮
地址：	214028 江蘇省無***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件
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【權利要求書】：

1.一種半導體器件，包括襯底以及環繞該襯底邊緣設置的場限環，所述場限環包括場限環一、場限環二和場限環三，所述場限環二位于所述場限環一和場限環三之間，其特征在于：所述半導體器件還包括截止環，所述場限環三位于所述截止環和場限環二之間，GTE環的寬度為12μm，場限環一、場限環二和場限環三的寬度均為5μm，截止環的寬度為7μm，GTE環與場限環一的間距為20μm，場限環一與場限環二的間距為21μm，場限環二與場限環三的間距為23μm，場限環三與截止環的間距為28μm。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述半導體器件為DMOS。

3.一種半導體器件，包括襯底以及環繞該襯底邊緣設置的場限環，所述場限環包括場限環一、場限環二和場限環三，所述場限環二位于所述場限環一和場限環三之間，其特征在于：所述半導體器件還包括截止環，所述場限環三位于所述截止環和場限環二之間，GTE環的寬度為12μm，場限環一、場限環二和場限環三的寬度均為5μm，截止環的寬度為7μm，GTE環與場限環一的間距為26μm，場限環一與場限環二的間距為19μm，場限環二與場限環三的間距為20μm，場限環三與截止環的間距為20μm。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：所述半導體器件為DMOS。

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