[發(fā)明專利]一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210423750.0
• 申請(qǐng)日: 2012-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN103792472A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王紅亞
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01N21/95
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，屬于LED檢測(cè)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

LED老化測(cè)試在產(chǎn)品質(zhì)量控制是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，但在很多時(shí)候往往被忽視，不能進(jìn)行正確有效的老化，導(dǎo)致老化測(cè)試效果不明顯，無法從根源上控制生產(chǎn)質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有現(xiàn)象，提供一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝。????

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，所述工藝步驟如下：

（1）芯片選取：取W、X、Q爐M圈芯片進(jìn)行取樣，通過全檢測(cè)試機(jī)對(duì)取樣芯片進(jìn)行測(cè)試，剔除參數(shù)不良芯片并在顯微鏡下進(jìn)行觀察，選取外觀良好的優(yōu)質(zhì)芯片；

（2）點(diǎn)膠、固晶、焊線：按照COB老化測(cè)試操作規(guī)程將選取的芯片點(diǎn)膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機(jī)進(jìn)行焊線，焊線后進(jìn)行目檢，剔除焊線不良的芯片；

（3）老化前測(cè)試：使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)焊線至老化用PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流；

（4）COB老化：將測(cè)試完成的PCB板插到老化臺(tái)上，進(jìn)行老化，老化條件為：室溫、30mA，48小時(shí)；

（5）老化后測(cè)試：使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)老化后的PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過對(duì)老化測(cè)試工藝進(jìn)行改進(jìn)優(yōu)化，能夠明顯的測(cè)試出芯片的可靠性，保證后續(xù)芯片生產(chǎn)的質(zhì)量。

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，所述工藝步驟如下：

（1）芯片選取：取W、X、Q爐M圈芯片進(jìn)行取樣，通過全檢測(cè)試機(jī)對(duì)取樣芯片進(jìn)行測(cè)試，剔除參數(shù)不良芯片并在顯微鏡下進(jìn)行觀察，選取外觀良好的優(yōu)質(zhì)芯片；

（2）點(diǎn)膠、固晶、焊線：按照COB老化測(cè)試操作規(guī)程將選取的芯片點(diǎn)膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機(jī)進(jìn)行焊線，焊線后進(jìn)行目檢，剔除焊線不良的芯片；

（3）老化前測(cè)試：使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)焊線至老化用PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流；

（4）COB老化：將測(cè)試完成的PCB板插到老化臺(tái)上，進(jìn)行老化，老化條件為：室溫、30mA，48小時(shí)；

（5）老化后測(cè)試：使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)老化后的PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。