[發明專利]一種GaN基LED的老化測試工藝無效
| 申請號： | 201210423750.0 | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN103792472A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 王紅亞 | 申請（專利權）人： | 王紅亞 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01N21/95 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 264006 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan led 老化 測試 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基LED的老化測試工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：
（1）芯片選取：取W、X、Q爐M圈芯片進行取樣，通過全檢測試機對取樣芯片進行測試，剔除參數不良芯片并在顯微鏡下進行觀察，選取外觀良好的優質芯片；
（2）點膠、固晶、焊線：按照COB老化測試操作規程將選取的芯片點膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機進行焊線，焊線后進行目檢，剔除焊線不良的芯片；
（3）老化前測試：使用老化測試機臺對焊線至老化用PCB上的芯片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流；
（4）COB老化：將測試完成的PCB板插到老化臺上，進行老化，老化條件為：室溫、30mA，48小時；
（5）老化后測試：使用老化測試機臺對老化后的PCB上的芯片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向10V下的反向漏電流。
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