[發明專利]一種新的腐蝕工藝

無效

• 申請號: 201210423749.8
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103794681A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 王紅亞
• 申請（專利權）人: 王紅亞
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種新的腐蝕工藝，屬于LED生產領域。

背景技術

LED照明為當今節能照明的重點領域之一，在LED生產中，腐蝕工藝的優劣直接能影響著芯片的穩定性與可靠性，因此LED的腐蝕工藝在LED生產中起著至關重要的作用。

發明內容

本發明針對不足，提供一種新的腐蝕工藝。?

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：本發明涉及一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：

（1）刻蝕：將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕；

（2）去膠：刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠；

（3）臺階儀測試：去膠結束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階；

（4）ITO退火：將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理；

（5）PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。

本發明的有益效果是：通過對腐蝕工藝進行改進，能夠有效提高芯片的穩定性與可靠性，提高ITO薄膜的透過率，降低方阻。

具體實施方式

以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

本發明涉及一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：

（1）刻蝕：將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕；

（2）去膠：刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠；

（3）臺階儀測試：去膠結束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階；

（4）ITO退火：將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理；

（5）PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。