[發明專利]半導體發光二極管結構有效

申請號：	201210423090.6	申請日：	2012-10-29
公開（公告）號：	CN103094444A	公開（公告）日：	2013-05-08
發明（設計）人：	溫偉值;郭修邑;王泰鈞	申請（專利權）人：	廣鎵光電股份有限公司
主分類號：	H01L33/20	分類號：	H01L33/20
代理公司：	北京市浩天知識產權代理事務所 11276	代理人：	劉云貴
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體發光二極管結構
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種半導體發光二極管結構，特別是涉及一種具有多個不平行蝕刻面的半導體發光二極管結構。

背景技術

發光二極管(light-emitting?diode,LED)是一種使用半導體材料制作而成的固態發光裝置，而且能夠將電能有效率的轉換為光能。由于具有體積小、驅動電壓低、反應速率快等優點，發光二極管已被廣泛地應用在日常生活的各式電子產品，例如一般照明、廣告牌、手機及顯示屏背光源等各種用途中。

結構上，發光二極管通常包括基底、外延結構，設置在基底上、P電極接觸焊盤(P-side?electrode?pad)電連接于外延結構的P型半導體接觸層(P-type?semiconductor?contact?layer)、N電極接觸焊盤(N-side?electrode?pad)電連接于外延結構的N型半導體接觸層(N-type?semiconductor?contact?layer)，而外延結構在P型半導體接觸層以及N型半導體接觸層間另具有活性發光層(active?layer)。此外，在P電極接觸焊盤和P型半導體接觸層間通常設置有透明導電層(transparent?conductive?layer,TCL)，和P型半導體接觸層構成歐姆接觸，可以增進電流的水平擴散能力。

發明內容

本發明提供一種半導體發光二極管結構，用來改進正面光源的光分布均勻性并且同時增加正面發光強度。

為了達到上述目的，根據本發明的一優選實施例，公開了一種半導體發光二極管結構，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延結構，設于外延基底的主表面上，至少包含有一第一導電型半導體層、一活性發光層和一第二導電型半導體層，其中第一導電型半導體層具有一第一側壁，而且第一側壁包含有至少一第一蝕刻面以及一第二蝕刻面，而第一蝕刻面與外露表面間具有一第一夾角α，第二蝕刻面與外露表面間具有一第二夾角β，且第一蝕刻面和第二蝕刻面彼此相鄰；及一電極結構，設置于外延結構上。

根據本發明的另一優選實施例，公開了一種半導體發光二極管結構，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；及一外延結構，設于外延基底的主表面上，外延結構包括一側壁，而且側壁包括至少一和外露表面間呈銳角的一第一蝕刻面和一第二蝕刻面。

根據本發明的又一優選實施例，公開了一種半導體發光二極管結構，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；及一外延結構，設于外延基底的主表面上，至少包含有一第一導電型半導體層、一活性發光層和一第二導電型半導體層，其中外延結構具有一第一側壁，且第一側壁至少包含有一不同且彼此相鄰的第一蝕刻面及一第二蝕刻面，而且第一蝕刻面及第二蝕刻面和主表面的夾角都小于180°并且大于0°。

為了讓本發明的目的、特征和優點能更明顯易懂，下文描述優選實施方式，并配合附圖，詳細說明如下。但優選實施方式和附圖只供參考與說明，并不是用來對本發明加以限制。

附圖說明

圖1是根據本發明優選實施例的半導體發光二極管結構。

圖2到圖5是根據本發明優選實施例的半導體發光二極管結構的制作方法示意圖，其中：

圖2A到圖2D分別是圖案化外延基底的剖面示意圖；

圖3是外延工藝后的結構示意圖；

圖4是進行干蝕刻及切割工藝后的結構示意圖；及

圖5是進行濕蝕刻工藝后的半導體發光二極管結構的示意圖。

圖6是習知半導體發光二極管結構的局部放大示意圖。

圖7是圖5中虛線圓圈處的半導體發光二極管結構的局部放大示意圖。

圖8是習知半導體發光二極管和本發明的半導體發光二極管的配光曲線圖。

圖9是習知半導體發光二極管和本發明的半導體發光二極管的光輸出功率對應輸入電流的折線圖。