[發明專利]半導體發光二極管結構

有效

• 申請號: 201210423090.6
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103094444A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 溫偉值;郭修邑;王泰鈞
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種半導體發光二極管結構，其特征在于包括：

一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；

一外延結構，設于所述外延基底的所述主表面上，至少包含有一第一導電型半導體層、一活性發光層和一第二導電型半導體層，其中所述第一導電型半導體層具有一第一側壁，而且所述第一側壁包含有至少一第一蝕刻面以及一第二蝕刻面，而所述第一蝕刻面與所述外露表面間具有一第一夾角，所述第二蝕刻面與所述外露表面間具有一第二夾角，且所述第一蝕刻面和所述第二蝕刻面彼此相鄰；及

一電極結構，設置于所述外延結構上。

2.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述的外延基底是一具有凹凸結構的圖案化外延基底。

3.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于還包括一外延最底層，其中所述外延最底層是含鋁的氮化層材料。

4.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述第一蝕刻面和所述第二蝕刻面彼此不互相平行。

5.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述彼此相鄰的第一蝕刻面和所述的第二蝕刻面間有一位于所述外延結構內的夾角，且所述夾角介于90°到180°之間。

6.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述第一蝕刻面和所述第二蝕刻面都不垂直于所述外延基底的所述外露表面。

7.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述第一夾角與所述第二夾角皆呈銳角，且第一夾角小于所述第二夾角。

8.根據權利要求1所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述第一蝕刻面及所述第二蝕刻面和所述主表面的夾角都小于180°并且大于0°

9.一種半導體發光二極管結構，其特征在于包括：

一基底，包含有一主表面和一沒有被發光二極管結構覆蓋的表面；及

一外延結構，設于所述的基底的所述的主表面上，至少包含有一第一導電型半導體層、一活性發光層和一第二導電型半導體層，其中所述外延結構具有一第一側壁，且所述第一側壁至少包含有一不同且彼此相鄰的第一蝕刻面以及一第二蝕刻面，而且所述第一蝕刻面及所述第二蝕刻面和所述主表面的夾角都小于180°并且大于0°。

10.根據權利要求9所述的半導體發光二極管結構，其特征在于所述彼此相鄰的所述第一蝕刻面和所述第二蝕刻面都不垂直于所述基底的所述沒有被發光二極管結構覆蓋的表面。