[發明專利]非揮發性存儲器制造方法及其構造

無效

• 申請號: 201210422872.8
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103730424A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 李文誠;陳宜秀;吳怡德
• 申請（專利權）人: 宜揚科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

1.??一種非揮發性存儲器制造方法；其特征在于該非揮發性存儲器制造方法包含：??（A）于一硅基板上間隔地形成多個間斷式的隔離層，且根據每一隔離層與相鄰的隔離層分別界定一漏區域，其中每一條隔離層具有切斷該條隔離層的多個空隙，所述空隙在垂直于所述隔離層的方向上形成一共同的源區域，所述漏區域通過該源區域互相連通；??（B）依序于該硅基板上附著一穿隧介電層、一電荷捕捉層、一阻電層，及一柵層；??（C）通過光阻屏蔽與蝕刻的圖案化制程形成堆疊而成的多個柵極結構；及（D）于該硅基板上的每一漏區域形成一漏極接觸窗，且于該硅基板上的該源區域形成至少一源極接觸窗。

2.??根據權利要求1所述的非揮發性存儲器制造方法，其特征在于：在步驟（D）中于該源區域每間隔至少二隔離層形成該源極接觸窗。

3.??根據權利要求2所述的非揮發性存儲器制造方法，其特征在于：在步驟（B）中該穿隧介電層與該阻電層分別由氧化硅所組成，該電荷捕捉層由氮化硅所組成，且該柵層由多晶硅所組成。

4.??根據權利要求2所述的非揮發性存儲器制造方法，其特征在于：在步驟（B）中通過熱氧化的方式將該穿隧介電層附著于該硅基板上，且通過熱氧化的方式將該阻電層附著于該電荷捕捉層上。

5.??根據權利要求2所述的非揮發性存儲器制造方法，其特征在于：在步驟（B）中通過低壓化學氣相沉積法的方式將該電荷捕捉層附著于該穿隧介電層上，且通過低壓化學氣相沉積法將該柵層附著于該阻電層上。

6.??根據權利要求2所述的非揮發性存儲器制造方法，其特征在于：在步驟（D）中通過離子植入法形成漏極摻雜區與源極摻雜區，再形成用于供漏極摻雜區與源極摻雜區和外部電性連接的所述漏極接觸窗與該源極接觸窗。

7.??一種非揮發性存儲器構造，其特征在于該非揮發性存儲器構造包含：一硅基板；多個間斷式的隔離層，間隔地形成于該硅基板上，其中每一隔離層與相鄰的隔離層分別界定一漏區域，且所述隔離層由多個空隙所分離，所述空隙在垂直于所述隔離層的方向上形成一共同的源區域，所述漏區域通過該源區域互相連通；一穿隧介電層，附著于該硅基板上；一電荷捕捉層，附著于該穿隧介電層上；一阻電層，附著于該電荷捕捉層上；及一柵層，附著于該阻電層上；其中該穿隧介電層、該電荷捕捉層、該阻電層，及該柵層形成堆疊而成的多個柵極結構，且該硅基板上的每一漏區域形成一漏極接觸窗，而該硅基板上的該源區域形成至少一源極接觸窗。

8.??根據權利要求7所述的非揮發性存儲器構造，其特征在于：于該源區域每間隔至少二隔離層形成該源極接觸窗。

9.??根據權利要求8所述的非揮發性存儲器構造，其特征在于：其中該穿隧介電層與該阻電層分別由氧化硅所組成，該電荷捕捉層由氮化硅所組成，且該柵層由多晶硅所組成。