[發明專利]MTP存儲單元在審
| 申請號： | 201210422438.X | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN103794246A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 仲志華 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/02 | 分類號： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mtp 存儲 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種MTP存儲單元，其特征是,包括：選擇晶體管（N1）、編程電容（C1）和擦除電容（C2）；
選擇晶體管(N1)的漏端作為MTP存儲單元的位線(BL),選擇晶體管(N1)源端作為整個MTP存儲單元的源端（SG）；
編程電容（C1）的上極板和選擇晶體管（N1）柵極相連，為同一個浮柵；
編程電容（C1）的下極板是整個MTP存儲單元的字線(WL)；
擦除電容（C2）的上極板作為MTP存儲單元的擦除端(EG)；
擦除電容（C2）的下極板與編程電容（C1）的上極板相連，為同一個浮柵。
2.如權利要求1所述的MTP存儲單元，其特征是：所述選擇晶體管（N1）是NMOS晶體管，編程電容（C1）是NWC電容，擦除電容（C2）是MIP電容。
3.如權利要求1所述的MTP存儲單元，其特征是：所述擦除電容（C2）上極板的金屬材質為硅化鎢，其厚度為1000埃~3000埃，其上極板和下極板之間介質膜是二氧化硅，其厚度為200埃~300埃。
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