[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210422159.3
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103794480A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成柵極介電層、柵極材料層和硬掩膜層；

蝕刻所述硬掩膜層，并以經過所述蝕刻的硬掩膜層為掩膜，部分回蝕刻所述柵極材料層；

在所述硬掩膜層的兩側形成第一側壁；

以所述第一側壁為掩膜，蝕刻所述柵極材料層和柵極介電層，在所述半導體襯底上形成柵極結構；

在所述柵極結構的兩側形成第二側壁；

去除所述硬掩膜層和所述第一側壁，在所述柵極結構頂部的兩側形成凹槽；

形成自對準金屬硅化物。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極介電層的構成材料包括氧化物。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極材料層的構成材料包括多晶硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的構成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、無定形碳、硼氮或者以上材料的任意組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的蝕刻過程包括以下步驟：在所述硬掩膜層上形成圖案化的光刻膠層；采用干法蝕刻工藝去除未被所述光刻膠層遮蔽的硬掩膜層；采用灰化工藝去除所述光刻膠層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分回蝕刻過程結束之后，所述硬掩膜層的厚度大于100埃。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分回蝕刻過程去除的柵極材料層的厚度為50-500埃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一側壁的構成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、無定形碳、硼氮或者以上材料的任意組合。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二側壁的構成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、無定形碳、硼氮或者以上材料的任意組合。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二側壁的高度大于或小于所述柵極結構的高度。

11.根據權利要求1或10所述的方法，其特征在于，所述柵極結構由依次層疊的所述柵極介電層和所述柵極材料層構成。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硬掩膜層和所述第一側壁的去除過程之前或者之后，還包括執行一離子注入的步驟，以在所述第二側壁兩側的半導體襯底中形成源區和漏區。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用自對準硅化物阻擋層工藝形成所述自對準金屬硅化物。