[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210422157.4
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103794546A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林靜
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成∑狀凹槽；

在所述∑狀凹槽的底部形成籽晶層；

在所述籽晶層上形成嵌入式鍺硅層，以完全填充所述∑狀凹槽；

在所述嵌入式鍺硅層上形成SiCB帽層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用先干法蝕刻再濕法蝕刻的工藝形成所述∑狀凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶層為具有低鍺含量的鍺硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用選擇性外延生長工藝形成所述嵌入式鍺硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位外延生長工藝形成所述SiCB帽層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述SiCB帽層中硼原子的摻雜劑量為5.0×e¹⁴-5.0×e²⁰atom/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述SiCB帽層中碳原子的摻雜劑量為5.0×e¹⁴-5.0×e²⁰atom/cm²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成有緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)的偏移間隙壁結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述偏移間隙壁結(jié)構(gòu)包括至少一層氧化物層和/或至少一層氮化物層。