[發明專利]基底處理裝置和方法

有效

• 申請號: 201210421238.2
• 申請日: 2008-10-31
• 公開（公告）號: CN102945816A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 柳寅喆
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/16
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;褚海英

本申請是申請日為2008年10月31日、發明名稱為“化學品液供應裝置及使用該裝置的基底處理裝置和方法”的第200810172305.5號專利申請的分案申請。

相關申請的交叉參考

本專利申請要求于2007年12月12日提交的韓國申請No.10-2007-0138664的優先權，在此將該韓國申請的全部內容作為本申請的參考而引入。

背景技術

這里公開的本發明涉及基底處理裝置和方法，更具體的說，涉及把光致抗蝕劑液供應到基底上的化學品液供應裝置、具有這種供應裝置的基底處理裝置以及使用這種供應裝置的基底處理方法。

半導體器件是通過重復執行把薄膜順序堆疊在硅晶片上的工序以形成預定電路圖形而制成的。為了形成和堆疊這些薄膜，必須重復執行多道單獨的工序，例如：沉積工序、光刻工序和蝕刻工序。

光刻工序是一種用來在晶片上形成各種電路圖形的工序。這種光刻工序包括涂敷工序、曝光工序和顯影工序。

在涂敷工序中，把對光線敏感的材料即光致抗蝕劑液均勻地涂敷在晶片的表面上。在曝光工序中，使用分檔器讓光線通過掩模上的電路圖形，以使具有光致抗蝕劑液的晶片曝光。上述顯影工序通過使用顯影劑而有選擇地在晶片表面的光致抗蝕劑膜上接受到光線的那一部分上或者沒有接受到光線的那一部分上進行。

涂敷工序、曝光工序和顯影工序都是用來在晶片上形成電路圖形的。可以用在晶片上形成的電路圖形來蝕刻晶片的頂層，以便形成與電路圖形相對應的半導體器件。

供應給晶片的光致抗蝕劑液的種類按照加工工序的不同而不同。因此，在涂敷裝置中設有大量光致抗蝕劑液供應噴嘴。而且，在上述涂敷裝置中還設有搬運臂，用來有選擇地夾持和搬運各個工序中要使用的上述光致抗蝕劑液供應噴嘴。不過，由于這種常見裝置必須具有能夠拆卸光致抗蝕劑液供應噴嘴的結構，因而這種裝置的結構就很復雜，而且部分光致抗蝕劑液供應噴嘴要在拆卸和移動時更換。

發明內容

鑒于上述背景技術存在的問題，本發明提供能高效地執行光致抗蝕劑液涂敷工序的化學品液供應裝置以及使用這種供應裝置的基底處理裝置和方法。

本發明還提供簡化了用于涂敷化學品液的單元和裝置的結構的化學品液供應裝置以及使用這種供應裝置的基底處理裝置和方法。

然而，不應該把本發明限制在以上的說明中，通過下文中的詳細描述，本技術領域的技術人員能很容易地懂得本發明的其它優點和性能。

本發明的多個實施例提供了一種化學品液供應裝置，其包括：排放化學品液的多個噴嘴；噴嘴臂，其中安裝所述多個噴嘴，并設置多根向上述噴嘴供應所述化學品液的化學品液管；以及溫度控制構件，其把溫度控制流體供應到上述噴嘴臂中，用以控制流過上述化學品液管的化學品液的溫度。

在一些實施例中，上述溫度控制構件可以包括：溫度控制流體排放管，其與噴嘴臂主體的內壁和化學品液管之間的空間連通；溫度控制流體供應管道，其把溫度控制流體供應到上述主體的內壁和化學品液管之間的空間中；以及溫度控制流體排放管道，其連接在上述溫度控制流體排放管上。

在其它一些實施例中，上述溫度控制構件可以包括：溫度控制流體供應管，其圍繞著噴嘴臂內的化學品液管；溫度控制流體排放管，其圍繞著噴嘴臂內的溫度控制流體供應管，且該溫度控制流體排放管與溫度控制流體供應管連通；溫度控制流體供應管道，其連接在所述溫度控制流體供應管上；以及溫度控制流體排放管道，其連接在上述溫度控制流體排放管上。

在又一些實施例中，上述多個噴嘴可以包括排放光致抗蝕劑液的光致抗蝕劑液噴嘴，并且上述化學品液管還包括把光致抗蝕劑液供應給光致抗蝕劑液噴嘴的光致抗蝕劑液管。上述多個噴嘴中還可以進一步包括排放用于執行預濕潤工序的有機溶劑的有機溶劑噴嘴，而上述化學品液管還可以進一步包括把有機溶劑供應給有機溶劑噴嘴的有機溶劑管。上述化學品液供應裝置還可以進一步包括：把有機溶劑源連接在有機溶劑管上的有機溶劑供應管道以及設置在上述有機溶劑供應管道中的抽吸構件，該抽吸構件向有機溶劑噴嘴提供負壓。