[發明專利]一種霍爾自旋天平材料及元器件無效
| 申請號： | 201210421031.5 | 申請日： | 2012-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102931342A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 于廣華;王守國;張石磊;劉洋;張靜言;滕蛟;馮春 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | H01L43/10 | 分類號： | H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 霍爾 自旋 天平 材料 元器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種霍爾自旋天平材料，所述材料包括多層薄膜，由兩個具有垂直磁各向異性的磁性層，中間被非磁性絕緣層隔離所組成；其中一磁性層被反鐵磁層釘扎，另外一磁性層與一功能層相連；材料制成Hall?bar的形狀。
2.根據權利要求1所述的材料，其特征在于：所述磁性層是含有Fe、Co或Ni的且具有垂直各向異性的磁性單層膜或者多層膜，磁性層中至少包含一種磁性元素。
3.根據權利要求1所述的材料，其特征在于：所述材料中間的隔離層以及最頂層的功能層為絕緣材料包括NiO薄膜、Al2O3薄膜、MgO薄膜等。
4.根據權利要求1所述的材料，其特征在于：所述反鐵磁層為氧化物薄膜或金屬合金薄膜。
5.根據權利要求所述的材料，其特征在于：所述氧化物薄膜為NiO薄膜等；所述金屬合金薄膜為IrMn薄膜、?FeMn薄膜、?NiMn薄膜等。
6.一種元器件，其特征在于：由權利要求1-5任一權利要求所述的材料制作。
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