[發明專利]用于讀出放大器的低電壓電流參考產生器

有效

• 申請號: 201210419802.7
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103794252B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 周耀;錢曉州;林光明
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬紅梅,李浩

1.一種用于在非易失性存儲單元上執行讀取操作的讀出放大器，包括：

電流鏡，其包括第一電阻器和第二電阻器，所述第一電阻器包括第一端子和第二端子并且所述第二電阻器包括第一端子和第二端子；

電壓源，其被耦合到所述第一電阻器的第一端子并且被耦合到所述第二電阻器的第一端子；

參考電路，其被耦合到所述第一電阻器的第二端子；

晶體管，其包括第一端子和第二端子，其中所述晶體管的第一端子被耦合到所述第二電阻器的第二端子；

被選擇的存儲單元，其被耦合到所述晶體管的第二端子；

其中所述晶體管的第二端子響應于由所述參考電路汲取的第一電流和由所述被選擇的存儲單元汲取的第二電流提供指示在所述被選擇的存儲單元中存儲的值的電壓，

進一步包括：

運算放大器，其中所述運算放大器的正輸入端子被耦合到所述第一電阻器的第二端子，并且所述運算放大器的負輸入端子被耦合到所述第二電阻器的第二端子；

其中所述晶體管是PMOS晶體管，其包括第一端子、第二端子和第三端子，其中所述PMOS晶體管的第一端子被耦合到所述第二電阻器的第二端子，并且所述PMOS晶體管的第三端子被耦合到運算放大器的輸出。

2.根據權利要求1所述的讀出放大器，其中所述電壓源提供1.0伏或者更小的電壓。

3.根據權利要求1所述的讀出放大器，其中所述被選擇的存儲單元是浮置柵極存儲單元。

4.根據權利要求1所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括參考存儲單元。

5.根據權利要求4所述的讀出放大器，其中所述參考存儲單元是浮置柵極存儲單元。

6.根據權利要求4所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括運算放大器。

7.根據權利要求4所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括反相器。

8.根據權利要求1所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括電流源。

9.根據權利要求1所述的讀出放大器，進一步包括：

鏡對塊，其包括第一端子和第二端子，其中所述鏡對塊的所述第一端子被耦合到所述PMOS晶體管的第二端子并且所述鏡對塊的第二端子被耦合到被選擇的存儲單元；

輸出端口，其被耦合到所述鏡對塊的第二端子，其響應于由所述參考電路汲取的第一電流和由所述被選擇的存儲單元汲取的第二電流提供指示在所述被選擇的存儲單元中存儲的值的電壓。

10.根據權利要求9所述的讀出放大器，其中所述電壓源提供1.0伏或者更小的電壓。

11.根據權利要求9所述的讀出放大器，其中所述被選擇的存儲單元是浮置柵極存儲單元。

12.根據權利要求9所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括參考存儲單元。

13.根據權利要求12所述的讀出放大器，其中所述參考存儲單元是浮置柵極存儲單元。

14.根據權利要求12所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括運算放大器。

15.根據權利要求12所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括反相器。

16.根據權利要求9所述的讀出放大器，其中所述參考電路包括電流源。