[發(fā)明專利]一種ZrCuNiAlSi金屬非晶薄膜材料的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210419281.5
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN102925870A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王飛;黃平;王文龍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種ZrCuNiAlSi金屬非晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將單面拋光單晶硅基片分別用丙酮和酒精超聲清洗15~30分鐘，經(jīng)電吹風(fēng)吹干后，放入超高真空磁控濺射設(shè)備基片臺上，準(zhǔn)備鍍膜；

2）將由Zr、Al、Cu、Ni、Si組成的五元合金靶材安置在靶材座上，通過調(diào)整中電源的功率控制靶的濺射率，濺射功率為30W~80W，薄膜的沉積速率為2nm/min~4nm/min；采用高純Ar作為離化氣體，氣流速度為6.3sccm；

3）硅片濺射沉積時，采用直流脈沖電源，濺射過程中，不加偏壓，采用間歇沉積方式每沉積5~10min，暫停濺射15min使薄膜完全冷卻；同時對基片臺進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，保證非晶薄膜致密均勻，最終達(dá)到所需的膜層厚度尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ZrCuNiAlSi金屬非晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述五元合金靶材的Zr、Al、Cu、Ni、Si的原子數(shù)百分含量分別為：61%、7.5%、17.5%、10%、4%；五元合金靶材由各純度在99.999%以上的純元素粉粒按照原子百分比壓制而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ZrCuNiAlSi金屬非晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，步驟2）中，高純Ar的純度為99.99%。