[發(fā)明專利]具有屏蔽結(jié)構(gòu)的3D芯片封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210417388.6 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN103094257B | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·伯格蒙特;U·斯瑞達;J·埃盧爾;Y-S·A·孫;E·西蒙斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基底 芯片封裝 屏蔽層 屏蔽結(jié)構(gòu) 附著 絕緣 電子電路 介電耦合 磁絕緣 電絕緣 熱絕緣 介電 同構(gòu) 異構(gòu) | ||
1.一種半導體器件，其包括：
載體基底，限定第一腔和第二腔；
第一結(jié)構(gòu)，在所述第一腔中至少部分地附著到所述載體基底，所述第一結(jié)構(gòu)包括電子電路；
第二結(jié)構(gòu)，在所述第二腔中至少部分地附著到所述載體基底，所述第二結(jié)構(gòu)包括電子電路；
濾光片，設(shè)置在所述載體基底與所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的至少一個之間，以提供用于所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的所述至少一個的光過濾，其中，所述濾光片被構(gòu)造為選擇性地減少第一波長光譜范圍內(nèi)的光傳輸入所述載體基底，并且選擇性地允許不同于所述第一波長光譜范圍的第二波長光譜范圍內(nèi)的光穿入所述載體基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括屏蔽層，設(shè)置在所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的至少一個的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)是同構(gòu)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)是異構(gòu)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結(jié)構(gòu)包括發(fā)光器件，并且所述第二結(jié)構(gòu)包括光傳感器件。
6.一種制造半導體器件的方法，包括：
在載體基底中形成第一腔和第二腔；
將第一結(jié)構(gòu)在所述第一腔中至少部分地附著到所述載體基底，所述第一結(jié)構(gòu)包括電子電路；
將第二結(jié)構(gòu)在所述第二腔中至少部分地附著到所述載體基底，所述第二結(jié)構(gòu)包括電子電路；
在所述載體基底與所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的至少一個之間形成濾光片，以提供用于所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的所述至少一個的光過濾，其中，所述濾光片被構(gòu)造為選擇性地減少第一波長光譜范圍內(nèi)的光傳輸入所述載體基底，并且選擇性地允許不同于所述第一波長光譜范圍的第二波長光譜范圍內(nèi)的光穿入所述載體基底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，還包括在所述第一結(jié)構(gòu)或所述第二結(jié)構(gòu)的至少一個的上方形成屏蔽層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，所述第一結(jié)構(gòu)包括發(fā)光器件，并且所述第二結(jié)構(gòu)包括光傳感器件。
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