[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210415061.5
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103779270A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有源極、漏極、偽柵極和偽柵極側壁；

步驟S102：對所述半導體襯底進行應力臨近技術處理，去除部分所述偽柵極側壁；

步驟S103：在所述半導體襯底上形成接觸孔刻蝕阻擋層；

步驟S104：刻蝕所述接觸孔刻蝕阻擋層以在所述源極和漏極的上方形成開口；

步驟S105：對所述半導體襯底進行金屬化以在所述源極和漏極上形成金屬硅化物。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述源極和漏極為抬升的源極和漏極。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102中，去除所述偽柵極側壁遠離所述半導體襯底的部分，保留所述偽柵極側壁位于所述偽柵極與所述源極之間以及所述偽柵極與所述漏極之間的部分。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，保留的所述偽柵極側壁位于所述偽柵極與所述源極之間以及所述偽柵極與所述漏極之間的部分的高度與所述抬升的源極和漏極的高度相同。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102中，在進行應力臨近技術處理時，采用干法刻蝕。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中形成的所述接觸孔刻蝕阻擋層為雙應力襯墊或單應力襯墊。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S104包括：

步驟S1041：在所述接觸孔刻蝕阻擋層的上方形成圖形化的光刻膠，所述圖形化的光刻膠覆蓋所述半導體襯底除所述源極和漏極以外的區域；

步驟S1042：以所述圖形化的光刻膠為掩膜對所述接觸孔刻蝕阻擋層進行刻蝕，去除所述接觸孔刻蝕阻擋層未被所述圖形化的光刻膠覆蓋的部分；

步驟S1043：去除所述圖形化的光刻膠。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105之后還包括如下步驟：

步驟S106：在所述半導體襯底上形成層間介電層；

步驟S107：通過CMP工藝去除位于所述偽柵極上方的所述接觸孔刻蝕阻擋層和層間介電層；

步驟S108：用金屬柵極替代所述偽柵極。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S106中，形成所述層間介電層的方法為沉積法。

10.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S108包括：

步驟S1081：刻蝕去除所述偽柵極；

步驟S?1082：在所述偽柵極原來的位置填充金屬，通過CMP工藝去除多余的金屬以形成金屬柵極。

11.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S?108之后還包括：進行雙大馬士革中段制程工藝以實現局域互連的步驟。