[發明專利]半導體硅片的電阻率測試方法及測試結構在審
| 申請號： | 201210414675.1 | 申請日： | 2012-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN102928669A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 許丹 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/02 | 分類號： | G01R27/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 硅片 電阻率 測試 方法 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體硅片的電阻率測試方法，包括以下步驟：
首先，在半導體硅片（10）的每一個裸芯片（20）上制作出電阻率測試結構（30）；
其次，將電阻繪制儀器的電壓直接加載到所述電阻率測試結構（30）上；
然后，采用時域電荷測量方法測量半導體硅片（10）的電阻率。
2.根據權利要求1所述的半導體硅片的電阻率測試方法，其特征在于：所述電阻率測試結構（30），包括硅層（31），在所述硅層（31）下面設置有氧化層（32），在所述硅層（31）上面設置有介質層（33），在所述介質層（33）上面設置有金屬層（34）。
3.一種半導體硅片的電阻率測試結構，包括硅層（31），其特征在于：所述硅層（31）下面設置有氧化層（32），所述硅層（31）上面設置有介質層（33），所述介質層（33）上面設置有至少一層金屬層（34）。
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