[發明專利]互連結構中形成圖案化金屬硬掩膜的方法

有效

• 申請號: 201210414625.3
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103779268A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 劉煥新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種互連結構中形成圖案化金屬硬掩膜的方法，包括：

提供表面形成有布線層的晶圓；

在布線層表面沉積層間介質層，并在層間介質層上通過物理氣相沉積形成金屬硬掩膜層；

通過濕法刻蝕回刻部分所述金屬硬掩膜層；

在剩余的所述金屬硬掩膜層表面形成圖案化光刻膠；

以圖案化光刻膠作為屏蔽刻蝕剩余的所述金屬硬掩膜層以形成圖案化金屬硬掩膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜的材料為氮化鈦，所述層間介質層的材料為低介電常數絕緣材料，所述濕法刻蝕劑為過氧化氫與EKC-575溶液、取代胺、雜環化合物、二甲亞砜、苯并三唑、二甘醇、N-丁基醚、多羥基烷烴或芳香烴中任意一種或多種所組成的混合溶液。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述濕法刻蝕劑為過氧化氫與EKC-575溶液形成體積比為1：2至1：10的混合溶液時，刻蝕溫度為30℃至50℃。