[發明專利]一種非易失性觸發器陣列及工作方法有效
| 申請號: | 201210413808.3 | 申請日: | 2012-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN102881327A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 景蔚亮;陳邦明 | 申請(專利權)人: | 上海新儲集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司: | 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董紅曼 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 非易失性 觸發器 陣列 工作 方法 | ||
1.一種非易失性觸發器陣列,其特征在于,包括:
易失性觸發器陣列(1),其包括多個鎖存器單元(11),用于在上電的情況下鎖存觸發器的值;
非易失性相變存儲器陣列(2),其包括由相變存儲器單元(21)組成的陣列,實現保存所述鎖存器單元(11)中的數據;
控制端組(3),其包括多個控制端(31),實現控制調節所述非易失性相變存儲器陣列(2)保存或恢復所述易失性觸發器陣列(1)的數據;
所述非易失性相變存儲器陣列(2)中的每一列所述相變存儲器單元(21)均與所述易失性觸發器陣列(1)中的一個鎖存器單元(11)連接;
所述非易失性相變存儲器陣列(2)中的每一行所述相變存儲器單元(2?1)均與所述控制端組(3)中的一個控制端(31)連接。
2.如權利要求1所述的非易失性觸發器陣列,其特征在于,所述相變存儲器單元(21)包括第一電阻(211)、第二電阻(212)、第一晶體管(213)、第二晶體管(214)、位線(215)與反位線(216);
所述第一電阻(211)的一端與所述鎖存器單元(11)的一端連接;所述第一電阻(211)的另一端與所述第一晶體管(213)的源極連接;所述第一晶體管(213)的柵極與所述控制端(31)連接;所述第一晶體管(213)的漏極與所述位線(215)連接;
所述第二電阻(212)的一端與所述鎖存器單元(11)的另一端連接;所述第二電阻(212)的另一端與所述第二晶體管(214)的源極連接;所述第二晶體管(214)的柵極與所述控制端(31)連接;所述第二晶體管(214)的漏極與所述反位線(216)連接。
3.如權利要求1所述的非易失性觸發器陣列,其特征在于,所述相變存儲器單元(21)的相變材料包括鍺銻碲、硅銻碲、鋁銻碲。
4.如權利要求3所述的非易失性觸發器陣列,其特征在于,通過增加所述相變存儲器單元(21)的相變材料中碲的含量,或是降低所述相變存儲器單元(21)的相變材料中鍺的含量,提高所述相變存儲器單元(21)的編程速度。
5.一種非易失性觸發器陣列的工作方法,其特征在于,包括入棧操作與出棧操作。
6.如權利要求5所述的非易失性觸發器陣列的工作方法,其特征在于,所述入棧操作包括:
步驟A1:將所述控制端組(3)中的一個所述控制端(31)調節至高電平;
步驟A2:將與所述控制端(31)連接的所述相變存儲器單元(21)的位線(215)與反位線(216)均接地,調節所述控制端(31)的電壓大小,所在行的所述相變存儲器單元(21)的第一電阻(211)或第二電阻(212)中形成編程電流,所述第一電阻(211)或第二電阻(212)被置為低阻態或高阻態;
步驟A3:將所述位線(215)與反位線(216)置為高電平,調節所述控制端(31)的電壓大小,所在行的所述相變存儲器單元(21)的所述第一電阻(211)或第二電阻(212)中形成編程電流,所述第一電阻(211)或第二電阻(212)被置為高阻態或低阻態;與所述相變存儲器單元(21)連接的所述易失性觸發器陣列(1)中的所述鎖存器單元(11)的兩個相反值的數據被分別保存至所述第一電阻(211)和第二電阻(212)中;
步驟A4:將所述控制端(31)置為低電平。
7.如權利要求5所述的非易失性觸發器陣列的工作方法,其特征在于,所述出棧操作包括:步驟B1:當處理完中斷后,對所述相變存儲器單元(21)的所述位線(215)與反位線(216)預充電,將與所述相變存儲器單元(21)相連的控制端(31)置為高電平;
步驟B2:電流分別經過所述第一電阻(211)與第二電阻(212)流向所述鎖存器單元(11)的兩端,所述鎖存器單元(11)的兩端的數據依據所述第一電阻(211)與第二電阻(212)的低阻態或高阻態被分別恢復為高電平數據“1”或者低電平數據“0”;
步驟B3:將所述控制端(31)置為低電平。
8.如權利要求5所述的非易失性觸發器陣列的工作方法,其特征在于,進一步包括數據恢復判斷操作。
9.如權利要求8所述的非易失性觸發器陣列的工作方法,其特征在于,所述數據恢復判斷操作包括:
步驟C1:當發生中斷時,系統執行所述入棧操作,將所述易失性觸發器陣列(1)的鎖存器(11)的數據保存在所述非易失性相變存儲器陣列(2)的所述相變存儲器單元(21)中;
步驟C2:分別記錄處理中斷前后的系統時間,計算得到中斷處理時間;
步驟C3:若當所述中斷處理時間大于所述相變存儲器單元(21)的數據保持時間,則所述相變存儲器單元(21)中的數據丟失,系統使所述中斷前保存的數據無效化;若當所述中斷處理時間小于所述相變存儲器單元(21)的數據保持時間,則系統執行所述出棧操作,將所述相變存儲器單元(21)中的數據恢復至所述鎖存器(11)中。
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