[發明專利]存儲器內建自測試電路有效

申請號：	201210413645.9	申請日：	2012-10-25
公開（公告）號：	CN102903393B	公開（公告）日：	2017-04-05
發明（設計）人：	李鳴	申請（專利權）人：	上海華虹宏力半導體制造有限公司
主分類號：	G11C29/12	分類號：	G11C29/12
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237	代理人：	鄭瑋
地址：	201203 上海市***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器測試電路
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【權利要求書】：

1.一種存儲器內建自測試電路，用于對存儲裝置進行測試，包括：命令解析電路、數據產生電路及方向選擇電路，該命令解析電路一輸入端自該方向選擇電路輸入測試輸入數據，第一引腳接測試時鐘輸入至該命令解析電路，該數據產生電路輸出測試輸出數據至該方向選擇電路，并輸出一方向控制信號至該方向選擇電路以對輸入輸出進行方向選擇，該方向選擇電路通過第二引腳進行數據的輸入輸出。

2.如權利要求1所述的存儲器內建自測試電路，其特征在于：該測試電路還包括一第三引腳，該第三引腳連接存儲裝置以提供測試電源。

3.如權利要求1所述的存儲器內建自測試電路，其特征在于：該命令解析電路產生并輸出測試觸發信號至該數據產生電路。

4.如權利要求1所述的存儲器內建自測試電路，其特征在于：測試復位信號由該測試電路內部產生并輸至該數據產生電路以便進行復位操作。

5.如權利要求1所述的存儲器內建自測試電路，其特征在于：該方向選擇電路為雙向的輸入輸出單元。

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