[發明專利]一種高響應的DIP整流橋的工藝

有效

• 申請號: 201210412773.1
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103117230A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 曹孫根;李國良
• 申請（專利權）人: 南通康比電子有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/56
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

技術領域

本發明涉及電子領域，預提是高響應DIP整流橋的制作工藝。?

背景技術

傳統的DIP產品封裝用芯片僅為玻璃鈍化的芯片，其不足之處是反向恢復時間長，正向電壓大，如果封裝蕭特基芯片，芯片需要人工分向，生產效率低，且是用預焊的方式，良率低，經過二次高溫的焊接，還會導致產品的潛在可靠性風險。其生產效率僅有8.4K/人/12小時，常規電性良率僅有88%。其工藝流程如附圖1所示。?

本技術由于缺點較多，因此，替換本工藝的研究迫在眉睫，但目前沒有相關報道。?

發明內容

本發明的主要任務在于提供一種高響應的DIP整流橋的工藝。?

為了解決以上技術問題，本發明的一種高響應的DIP整流橋的制作工藝，其特征在于：主要為框架退火、刷膠組裝、焊接三個步驟。?

所述框架退火工藝為：將框架通過通有氮氣的焊接爐（T_peak=440-460℃）退火，目的是將框架通過高溫退火，使框架變軟，減少應力。?

所述刷膠組裝工藝為：利用絲網印刷，將錫膏印刷至框架工藝設計區域，再將芯片通過吸盤分向，并用吸筆轉換至已經印刷錫膏的框架工藝設計區域。?

所述焊接工藝為：將組裝完成的材料放進石墨舟通過焊接爐（T_peak=350-360℃）使芯片與框架焊接在一起。?

進一步地，所述芯片的分向的具體步驟如下：將晶粒倒在硬紙板上，輕輕地上下顛簸3~5次，利用芯片P、N面金屬不同的、其受力不一樣的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再將P面朝上的芯片用紙板集中撥到吸盤內，在輕搖吸盤，使吸盤自動落入吸孔內。?

本發明的優點在于：1、利用芯片P、N面金屬層不一樣的，且其密度不一樣的原理，在硬板上輕輕地墊，?減少了人工在分向過程中操作對芯片的碰撞使其損傷，從而確保其常規電性良率，以及可靠性，效率方面減少了人工分向；?

2、封裝焊接采用刷膠工藝進行一次焊接工藝，有效解決傳統的焊接工藝中芯片需采用預焊工藝而產生的二?次焊接工藝，減少因二次焊接產生的熱應力及機械損傷造成的良率問題以及產品的可靠性能問題潛在風險；

3、封裝選用耐熱性、熱膨脹系數、電氣特性、耐濕性、結合力等特性參數較好環氧塑封料，從而使產品的常規電性良率跟傳統的橋式整流器有一個明顯的提升，且產品的可靠性又能得到保證；

4、將框架高溫退火（溫度440-460℃），與傳統的封裝方式比較，可以減少因框架硬度的問題可提升焊接良率，減少電性衰降；

5、其生產效率可達30K/人/12小時，常規電性良率可達94%；

6、由于芯片表面為金屬-半導體直接接觸，故頻率高，反向恢復時間短，Trr≤15ns，可靠性能好。

附圖說明

附圖1為本發明背景技術中所述傳統的DIP產品生產工藝流程圖。?

具體實施方式

本實施例是高響應的DIP整流橋的工藝。主要為框架退火、刷膠組裝、焊接三個步驟：?

步驟1）、框架退火工藝：將框架通過通有氮氣的焊接爐（T_peak=440-460℃）常規退火，目的是將框架通過高溫退火，使框架變軟，減少應力；

步驟2）、刷膠組裝工藝：利用絲網印刷，將錫膏印刷至框架工藝設計區域，再將芯片通過吸盤分向，并用吸筆轉換至已經印刷錫膏的框架工藝設計區域。本工藝中，將芯片吸盤分向是實現自動分向：將晶粒倒在硬紙板上，輕輕地上下顛簸3~5次，利用芯片P、N面金屬不同的、其受力不一樣的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再將P面朝上的芯片用紙板集中撥到吸盤內，在輕搖吸盤，使吸盤自動落入吸孔內，減少人工；

步驟3）、焊接工藝：將組裝完成的材料放進石墨舟通過焊接爐（T_peak=350-360℃）使芯片與框架焊接在一起。

本發明所得的產品，經檢測，芯片表面為金屬-半導體直接接觸，故頻率高，反向恢復時間短，Trr≤15ns，可靠性能好。?

主要技術指標為正向壓降低VF≤0.82VIF=5A,?IR≤5μΑ?VR=200V。?