[發明專利]一種高響應的DIP整流橋的工藝有效
| 申請號： | 201210412773.1 | 申請日： | 2012-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN103117230A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 曹孫根;李國良 | 申請（專利權）人： | 南通康比電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/52 | 分類號： | H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 響應 dip 整流 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種高響應的DIP整流橋的制作工藝，其特征在于：主要為框架退火、刷膠組裝、焊接三個步驟；
所述框架退火工藝為：將框架通過通有氮氣的焊接爐Tpeak=440-460℃的條件下退火，目的是將框架通過高溫退火，使框架變軟，減少應力；
所述刷膠組裝工藝為：利用絲網印刷，將錫膏印刷至框架工藝設計區域，再將芯片通過吸盤分向，并用吸筆轉換至已經印刷錫膏的框架工藝設計區域；
所述焊接工藝為：將組裝完成的材料放進石墨舟通過焊接爐Tpeak=350-360℃的條件下使芯片與框架焊接在一起。
2.?根據權利要求1所述的一種高響應的DIP整流橋的制作工藝。其特征在于：所述芯片的分向的具體步驟如下：將晶粒倒在硬紙板上，輕輕地上下顛簸3~5次，利用芯片P、N面金屬不同的、其受力不一樣的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再將P面朝上的芯片用紙板集中撥到吸盤內，在輕搖吸盤，使吸盤自動落入吸孔內。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
