[發明專利]半導體器件、半導體器件制造方法以及電子器件

有效

• 申請號: 201210410626.0
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN103165556A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 今純一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L23/36;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種半導體器件，包括：

絕緣層；

設置在所述絕緣層內的第一半導體元件和第二半導體元件；

框，所述框具有比所述絕緣層更高的熱導率并經由所述絕緣層圍繞所述第一半導體元件和所述第二半導體元件；以及

布線層，所述布線層設置在所述絕緣層之上并包括電連接所述第一半導體元件和所述第二半導體元件的電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述絕緣層由樹脂制成；

其中所述第一半導體元件和所述第二半導體元件分別具有從所述絕緣層露出的第一電極焊墊和第二電極焊墊，以及

其中所述電極電連接到所述第一電極焊墊和所述第二電極焊墊。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，

其中所述布線層包括框部，所述框部圍繞包括所述電極的區域并連接到所述框。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，還包括：

設置在所述絕緣層的與設置有所述布線層的側面相反的側面上的層，所述層具有比所述絕緣層更高的熱導率并連接到所述框。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中所述層接觸所述第一半導體元件和所述第二半導體元件中的至少之一。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體器件，

其中所述第一半導體元件和所述第二半導體元件距所述框之間的距離等于所述第一半導體元件與所述第二半導體元件之間的距離。

7.一種半導體器件制造方法，包括：

形成襯底，所述襯底包括：

絕緣層，

設置在所述絕緣層的第一區域內的第一半導體元件和第二半導體元件，以及

設置在所述絕緣層內的第一框，所述第一框具有比所述絕緣層更高的熱導率并經由所述第一區域的所述絕緣層圍繞所述第一半導體元件和所述第二半導體元件；

在所述襯底之上形成布線層，所述布線層包括電連接到所述第一半導體元件和所述第二半導體元件的第一電極；以及

切割所述布線層和所述襯底以使得所述第一區域的所述絕緣層被所述第一框的至少一部分圍繞。

8.根據權利要求7所述的半導體器件制造方法，

其中待形成的所述襯底還包括：

設置在所述絕緣層的第二區域內的第三半導體元件和第四半導體元件，以及

設置在所述絕緣層內的第二框，所述第二框具有比所述絕緣層更高的熱導率并經由所述第二區域的所述絕緣層圍繞所述第三半導體元件和所述第四半導體元件，

其中待形成的所述布線層還包括電連接到所述第三半導體元件和所述第四半導體元件的第二電極，以及

其中布置為切割所述布線層和所述襯底的過程包括：

切割所述布線層和所述襯底，使得對于所述第一框和所述第二框之間的位置，所述第一區域的所述絕緣層被所述第一框的至少一部分圍繞，并且所述第二區域的所述絕緣層被第二框的至少一部分圍繞。

9.根據權利要求8所述的半導體器件制造方法，其中所述襯底的形成包括：

在支承構件之上設置所述第一框和所述第二框，

在所述第一框內設置所述第一半導體元件和所述第二半導體元件，

在所述第二框內設置所述第三半導體元件和所述第四半導體元件，

在所述支承構件之上形成所述絕緣層，并且將所述第一框、所述第二框、所述第一半導體元件、所述第二半導體元件、所述第三半導體元件、以及所述第四半導體元件埋入所述絕緣層中，以及

從所述絕緣層剝離所述支承構件。

10.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，

其中所述襯底的形成包括布置為在所述支承構件之上延伸并設置第三框以穿過所述第一框和所述第二框之間的過程。

11.根據權利要求9或10所述的半導體器件制造方法，

其中所述襯底的形成包括布置為在所述支承構件之上延伸并設置第四框以圍繞包括所述第一框和所述第二框的區域的過程。

12.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，

其中所述第一框和所述第二框是一體化的。